Characterization of the Annealing Effect of 0.5 % Ce-doped Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 Thin Films Grown by Rf Magnetron Sputtering Method |
최원석
(성균관대학교 정보통신공학부)
박용섭 (성균관대학교 정보통신공학부) 이준신 (성균관대학교 정보통신공학부) 홍병유 (성균관대학교 정보통신공학부) |
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Sol-Gel 법을 이용한 PLZT 박막 커패시터의 전기적 특성
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ULSI DRAM의 Capacitor 절연막용 BST (Barium Strontium Titanate) 박막의 제작과 특성에 관한 연구
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Diffuse ferroelectric phase transitions in <TEX>$Ba(Ti_{1-y}Zr_{y})O_{3}$</TEX> ceramics
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Dielectric properties, leakage behaviour, and resistance degradation of thin films of the solid solution series <TEX>$Ba(Ti_{1-y}Zr_{y})O_{3}$</TEX>
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DOI ScienceOn |
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Peroxo-oxalate preparation of doped barium titanate
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Highly insulative barium zironate-titanate thin films prepared by RF magnetron sputtering for dynamic random access memory applications
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Lanthanum substituted bismuth titanate for use in nonvolatile memories
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PZT 강유전체 박막 캐패시터와 하부전극에 관한 연구
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