The Structural Properties Of the (Ba1Sr)(Nb1Ti)O3[BSNT] Thin Films with Ar/O2Ratios
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남성필
(광운대학교 전자재료공학과)
이상철 (광운대학교 전자재료공학과) 이영희 (광운대학교 전자재료공학과) 이성갑 (서남대학교 전기전자멀티미디어공학부) |
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Electrical characteristics of high dielectric constant materials for integrated ferroelectrics
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Memory cell, and technology issues for 64- and 256-Mbit one-transistor cell MOS DRAMs
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Fundamental iimitations on DRAM storage capacitors
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RF sputtering을 이용한 차세대 유전체 박막용 <TEX>$BaTiO_3$</TEX> 세라믹스 박막의 제조 및 전기적 특성에 관한 연구
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과학기술학회마을 |
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DOI |
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기판온도에 따른 <TEX>$(Ba,Sr)TiO_3$</TEX> 박막의 구조적 특성
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Ceramics and dielectric properties of selected compositions in the <TEX>$BaO-TiO_2-Nd_2O_3$</TEX> system
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Information writing mechanism in thin film MFIS stuctures
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Ar/O₂비에 따른 BST 박막의 전기적 특성
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