Effects of Mixed Oxidizer on the W-CMP Characteristics
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박창준
(대불대학교 전기공학과)
서용진 (대불대학교 전기공학과) 김상용 (㈜아남반도체 FAB 사업부) 이우선 (조선대학교 전기공학과) |
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Chemical Mechanical Planarization Ⅰ, I. Ali, and S. Raghavan, Editors, PV 96-22
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CMP 공정에 사용되는 연마 소모자재의 기술의 이해
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과학기술학회마을 |
3 |
산화제 첨가에 따른 W-CMP 특성
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Roles of phosphoric acid in slurry for Cu and TaN CMP
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과학기술학회마을 DOI ScienceOn |
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Chemical-Mechanical Polishing for Fabricating Patterned W Metal Features as Chip Interconnects
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DOI |
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금속 CMP 공정에서 연마제와 슬러리 케미켤에 의한 passivation layer의 연마특성
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Chemical mechanical polishing of polyarylether low dielectric constant layers by manganese oxide slurry
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DOI ScienceOn |
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CMP 공정에서 마이크로 스크래치 감소를 위한 스럴리 필터의 특성
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과학기술학회마을 |
9 |
Enhanced tungsten chemical mechanical polishing using stable alumina slurries
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DOI |
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An Optimization of Tungsten Plug Chemical Mechanical Polishing (CMP) using Different Consumables
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DOI ScienceOn |
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