Analysis of Electrical Characteristics of High-Density Trench Gate Power DMOSFET Utilizing Self-Align and Hydrogen Annealing Techniques |
박훈수
(위덕대학교 인터넷IT공학부)
김종대 (한국전자통신연구원) 김상기 (한국전자통신연구원) 이영기 (위덕대학교 인터넷IT공학부) |
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트랜치 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성에 미치는 영향
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The behavior of high current density power MOSFETs
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스마트 파워 IC를 위한 P+ Driver 구조의 횡형 트랜치 IGBT
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과학기술학회마을 |
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고내압 특성을 위한 진성영역과 트랜치 구조를 갖는 베이스 저항 사이리스터
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과학기술학회마을 |
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A 1 million-cell 2.0㏁ 30V trench FET utilizing 32 Mcell/in2 density with distributed voltage clamping
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High-density ultra-low Rdson 30V n-channel trench FETs For DC/DC converter applications
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Ultra-low Rdon 12V p-channel trench MOSFET
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An ultra-low on-resistance power MOSFET fabricated by using a fully self-aligned process
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레치업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT
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