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http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2003.16.10.853

Analysis of Electrical Characteristics of High-Density Trench Gate Power DMOSFET Utilizing Self-Align and Hydrogen Annealing Techniques  

박훈수 (위덕대학교 인터넷IT공학부)
김종대 (한국전자통신연구원)
김상기 (한국전자통신연구원)
이영기 (위덕대학교 인터넷IT공학부)
Publication Information
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers / v.16, no.10, 2003 , pp. 853-858 More about this Journal
Abstract
In this study, a new simplified technology for fabricating high density trench gate DMOSFETs using only three mask layers and TEOS/nitride spacer is proposed. Due to the reduced masking steps and self-aligned process, this technique can afford to fabricate DMOSFETs with high cell density up to 100 Mcell/inch$^2$ and cost-effective production. The resulting unit cell pitch was 2.3∼2.4${\mu}$m. The fabricated device exhibited a excellent specific on-resistance characteristic of 0.36m$\Omega$. cm$^2$ with a breakdown voltage of 42V. Moreover, time to breakdown of gate oxide was remarkably increased by the hydrogen annealing after trench etching.
Keywords
DMOSFET; On-resistance; Trench gate; Self-aligned;
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