Ferroelectric Properly of Bi3.75La0.25Ti3O12 Ceramic Sintered in the Ambient
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김응권
(성균관 대학교 정보통신대학원)
박춘배 (원광대학교 전기전자 및 정보공학부) 박기엽 (부산정보대학 전기전자계열) 송준태 (성균관 대학교 정보통신대학원) |
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Electrical Property of (Bi, La)₄Ti₃O12 Based Thin Films Prepared by RF Sputtering
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DOI |
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A study on PZT thin films capacitor and their bottom electrodes
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Preparation and ferroelectric properties of PZT thin Films C.S.D.P
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Fatigue-free behavior of highly oriented BLT thin films grown on Pt/Ti/SiO₂/Si by MSD
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DOI ScienceOn |
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La-substituted Bi, Ti for use in non-volatile memories
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Fa-brication and characterization of metal ferroelectric metal insulator semiconductor structure using ferroelectric BLT films
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Evolution of ferroelectric structure in SBT thin films prepared using triple alkoxides on Pt-passivated Si
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분위기 소결공정에 의해 제조된 ZnO 세라믹 바리스터의 열화기구 연구
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과학기술학회마을 |
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BLT thin films prepared on Si(100) by metalorganic decomposition method
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DOI ScienceOn |
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FRAM 응용을 위한 BLT박막의 제작 및 특성
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PLD를 이용한 강유전체(PZT, PST, PT)/YBCO박막 구조의 제작과 전기적인 특성에 관한 연구
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과학기술학회마을 |
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Pulsed laser deposition preparation and properties of SBT thin films
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DOI ScienceOn |
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