Ferroelectric Properties of Bi3.25La0.75 Ti3O12 Thin Films with Excess Bi Contents for Non-Volatile Memory Device Application |
김경태
(중앙대학교 전자전기공학부)
김창일 (중앙대학교 전자전기공학부) 강동희 (중앙대학교 화학과) 심일운 (중앙대학교 화학과) |
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MOD 법으로 제조한 강유전성 SBT 박막에서 하부전극이 유전 및 전기적 특성에 미치는 영향
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과학기술학회마을 |
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PLD 기법에 의한 강유전체 SBT/YBCO/LaAlO₃헤테로 박막의 제작 및 특성
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과학기술학회마을 |
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Preparation of Bi-based ferroelectric thin films by Sol-Gel method
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DOI |
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Imprint failures and asymmetric electrical properties induced by thermal processes in epitaxial Bi₄Ti₂O12 thin films
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DOI ScienceOn |
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Preparation and ferroelectric properties of SrBi₂Ta₂O9 thin films
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DOI ScienceOn |
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미래의 메모리 FRAM
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Ferroelectric properties of Bi₃.₂5La0.75Ti₃O₁₂ thin films prepared by chemical solution deposition
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DOI ScienceOn |
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Lanthanumsubs-tituted bismuth titanate for use in non-volatile memories
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Stabilized platinum electrodes for ferroelectric film deposition using Ti, Ta and Zr adhesion layers
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Electrical properties of ferroelectric Bi₄Ti₃O12 thin films by APMOCVD
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Metalorganicchemical vapor deposition of ferroelectric SrBi₂Ta₂O9 thin films
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MOD 법에 의한 강유전성 SrxBiyTa₂O9-α (SBT)박막의 제조 및 후열처리 효과에 관한 연구
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과학기술학회마을 |
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Ferroelectric memories
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DOI ScienceOn |