Modeling the Threshold Voltage of SiC MOSFETs for High Temperature Applications |
이원선
(충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부)
오충완 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 최재승 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 신동현 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 이형규 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 박근형 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 김영석 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) |
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Design of a process variation tolerant CMOS opamp in 6H-SiC technology for high-temperature operation
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DOI ScienceOn |
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Digital CMOS IC's in 6H-SiC operating on a 5-V power supply
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High voltage 4H-SiC schottky barrier diodes
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DOI ScienceOn |
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SiC 반도체 기술현황과 전망
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6H silicon carbide MOSFET modelling for high temperture analogue integrated circuits (25-500°C)
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DOI ScienceOn |
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4H-SiC MESFET with 2.8 W/mm power density at 1.8GHz
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DOI ScienceOn |
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4H-SiC Recessed-gate MESFET의 DC 특성 모델링 연구
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SiC 반도체 공정 및 소자기술 연구 현황
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과학기술학회마을 |
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Monolithic CMOS digital integrated circuits in 6H-SiC using an implanted p-well process
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DOI ScienceOn |
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