Modeling the Threshold Voltage of SiC MOSFETs for High Temperature Applications
![]() |
이원선
(충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부)
오충완 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 최재승 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 신동현 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 이형규 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 박근형 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) 김영석 (충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부) |
1 |
Design of a process variation tolerant CMOS opamp in 6H-SiC technology for high-temperature operation
/
DOI ScienceOn |
2 |
Digital CMOS IC's in 6H-SiC operating on a 5-V power supply
/
|
3 |
High voltage 4H-SiC schottky barrier diodes
/
DOI ScienceOn |
4 |
SiC 반도체 기술현황과 전망
/
|
5 |
6H silicon carbide MOSFET modelling for high temperture analogue integrated circuits (25-500°C)
/
DOI ScienceOn |
6 |
4H-SiC MESFET with 2.8 W/mm power density at 1.8GHz
/
DOI ScienceOn |
7 |
4H-SiC Recessed-gate MESFET의 DC 특성 모델링 연구
/
|
8 |
SiC 반도체 공정 및 소자기술 연구 현황
/
과학기술학회마을 |
9 |
Monolithic CMOS digital integrated circuits in 6H-SiC using an implanted p-well process
/
DOI ScienceOn |
10 |
/
|
![]() |