Reduce of Etching Damage of PZT Thin Firms with Addition of Ar and O2 in Cl2/CF4 Plasma |
강명구
(중앙대학교 전자전기공학부)
김경태 (중앙대학교 전자전기공학부) 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부) |
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고밀도 플라즈마에 의한 BST 박막의 damage에 관한 연구
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강유전체 및 전극 재료의 식각 기술 동향
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과학기술학회마을 |
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고밀도 플라즈마에 의한 PZT 박막의 식각특성 연구
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과학기술학회마을 |
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Effects of BCl3 addition on Ar/Cl₂ gas in inductively coupled plasmas for lead zriconate titanate etching
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Crystallixation of Pb(Zr,Ti)O₃films prepared by radio frequency magnetron sputtering With a stoichiometric oxide target
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XPS analysis of Pb(Zr?Ti?)O₃ thin film after dry-etching by CHF₃ plasma
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DOI ScienceOn |
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Ar/CF₄고밀도 플라즈마에서(Ba,Sr)TiO₃박막의 식각 메카니즘
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과학기술학회마을 |
8 |
Reactivation etching damage to the electrical properties of ferroelectric thin films
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DOI ScienceOn |
9 |
Dry Etching Characteristics of Pb(Zr,Ti)O₃ Films in CF₄and Cl₂/CF₄Inductively Coupled Plasmas
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DOI |