A Study of Boron Profiles by High Energy ion Implantation in Silicon |
정원채 (경기대학교 전자공학과) |
1 |
/
|
2 |
ICECREM 1996 manual
/
|
3 |
/
|
4 |
/
|
5 |
A monte carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets
/
DOI ScienceOn |
6 |
/
|
7 |
Hydrogen Stopping Power and Ranges in all Elements
/
|
8 |
/
|
9 |
실리콘에 MeV로 이온주입된 인의결함분포와 profile에 관한 연구
/
과학기술학회마을 |
10 |
The stopping of ions compounds
/
DOI ScienceOn |
11 |
/
|
12 |
Ion implantation into non-planar targets: monte carlo simulations and analytical models
/
DOI ScienceOn |
13 |
The stopping of energetic light ions in elemental matter
/
DOI ScienceOn |
14 |
/
|
15 |
비정질실리콘에 인의도핑과 이온주입에 따른 농도분포에 대한 연구
/
과학기술학회마을 |
16 |
JBS 정류기의 PN접합구조에 따른 I-V 특성에 관한 연구
/
과학기술학회마을 |
17 |
/
|
18 |
Handbook of Range Distributions for Energetic Ions in all Elements
/
|