The Development of Silylated Photoresist Etch Process by Enhanced- Inductively Coupled Plasma |
조수범
(인하대학교 전자재료공학과)
김진우 (인하대학교 전자재료공학과) 정재성 (인하대학교 전자재료공학과) 오범환 (인하대학교 전자재료공학과) 박세근 (인하대학교 전자재료공학과) 이종근 ((주) A.S.E.) |
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자화플라즈마의 분산 특성과 유효광학계수 변화
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과학기술학회마을 |
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자화 플라즈마의 주기적 특성 변화와 E-ICP
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Improvement of ICP plasma with periodic control of axial magnetic field
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DOI ScienceOn |
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Silylated resist의 MERIE 건식식각 특성에 관한 연구
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Dry development of sub-0.25㎛ feature pattern with 193nm silylated resist
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DOI ScienceOn |
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산화막 식각에 적용된 E-ICP 효과와 형상단면비교
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Low temperature etching of silylated resist in an oxygen plasma generated by an electron cyclotron resonance source
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DOI ScienceOn |
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유도결합형 플라즈마원을 이용한 고선택비 산화막 식각에 관한 연구
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Microscopic uniformity in plasma etchin
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DOI ScienceOn |
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Dry development of surface imaging resist: a major parameter for process optimization
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DOI |