Browse > Article

p형 SnO 트랜지스터 연구 동향  

Nam, Su-Ji (한국전자통신연구원 플렉시블전자소자연구실)
Publication Information
Electrical & Electronic Materials / v.34, no.3, 2021 , pp. 30-35 More about this Journal
Keywords
Citations & Related Records
연도 인용수 순위
  • Reference
1 I. C. Chiu, Y. S. Li, M. S. Tu, and I. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 35, 1263 (2014).   DOI
2 K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).   DOI
3 M. Lee, J. W. Jo, Y. J. Kim, S. Choi, S. M. Kwon, S. P. Jeon, A. Facchetti, Y. H. Kim, and S. K. Park, Adv. Mater. 30, 1804120 (2018).   DOI
4 S. Nam, J. H. Yang, S. H. Cho, J. H. Choi, O. S. Kwon, E. S. Park, S. J. Lee, K. I. Cho, J. Jang, and C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C 4, 11298 (2016).   DOI
5 C. Zhao, C. Tan, D. H. Lien, X. Song, M. Amani, M. Hettick, H. Y. Y. Nyein, Z. Yuan, L. Li, M. C. Scott and A. Javey, Nat. Nanotech. 15, 53 (2020).   DOI
6 G. Hautier, A. Miglio, G.Ceder, G. M. Rignanese, and X. Gonze, Nat. Commun. 4, 2292 (2013).   DOI
7 J. H. Bae, Ji. H.Lee, S. P.Park, T. S. Jung, H. J. Kim, Do. Kim, S. W. Lee, K. S. Park, S. Y. Yoon, I.B. Kang, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 38350 (2020).   DOI
8 F. Shan, A. Liu, H. Zhu, W. Kong, J. Liu, B. Shin, E. Fortunato, R. Martins, and G. Liu, J. Mater. Chem. C 4, 9438 (2016).   DOI
9 A. Liu, H. Zhu, Z. Guo, Y. Meng, G. Liu, E. Fortunato, R. Martins, and F. Shan, Adv. Mater. 29, 1701599 (2017).   DOI
10 J. A. Caraveo-Frescas, P. K. Nayak, H. A. AlJawhari, D. B. Granato, U. SchwingenschlOgl, and H. N. Alshareef, ACS Nano, 7, 5160 (2013).   DOI
11 C. W. Shih, A. Chin, Ch. F. Lu, and W. F. Su, Sci. Rep. 8, 889 (2018).   DOI
12 C. W. Zhong, H. C. Lin, Ko. C. Liu, and T. Y. Huang, IEEE Elect. Dev. Lett. 36, 1053 (2015).   DOI
13 T. Kim, B. Yoo, Y. Youn, M. Lee, A. Song, K. B. Chung, S. Han, and J. K. Jeong, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 40214 (2019).   DOI
14 A. Liu, H. Zhu, W. T. Park, S. J. Kim, H. Kim, M. G. Kim, and Y. Y. Noh, Nat. Commun. 11, 4309 (2020).   DOI
15 P. C. Chen, Y. C. Chiu, G. L. Liou, Z. W. Zheng, C. H. Cheng, and Y. H. Wu, IEEE Electron Device Lett. 38, 210 (2017).   DOI
16 M. G. Chae, S. H. Han, B. K. Park, T. M. Chung, and J. H. Han, Appl. Sur. Sci. 547, 148758 (2021).   DOI
17 K. Okamura, B. Nasr, R. A. Branda, H. Hahn, J. Mater. Chem. 22, 4607 (2012).   DOI
18 K. Yim, Y. Youn, M. Lee, D. Yoo, J. Lee, S. H. Cho, and S. Han, npj Comput. Mater. 4, 17 (2018).   DOI
19 M. Napari, T. N. Huq, D. J. Meeth, M. J. Heikkila, K. M. Niang, H.Wang, T. Iivonen, H. Wang, M. Leskela, M. Ritala, A. J. Flewitt, R. L. Z. Hoye, and J. L. MacManus-Driscoll, ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 4156 (2021).   DOI
20 Y. Jang, I. W. Yeu, J. S. Kim, J. H. Han, J. H. Choi, and C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 5, 1900371 (2019).   DOI
21 E. Fortunato, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S. H. K. Park, C. S. Hwang, and R. Martins, Appl. Phys. Lett. 97, 052105 (2010).   DOI
22 M. G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, Nat. Mater. 10, 382 (2011).   DOI