1 |
I. C. Chiu, Y. S. Li, M. S. Tu, and I. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 35, 1263 (2014).
DOI
|
2 |
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
DOI
|
3 |
M. Lee, J. W. Jo, Y. J. Kim, S. Choi, S. M. Kwon, S. P. Jeon, A. Facchetti, Y. H. Kim, and S. K. Park, Adv. Mater. 30, 1804120 (2018).
DOI
|
4 |
S. Nam, J. H. Yang, S. H. Cho, J. H. Choi, O. S. Kwon, E. S. Park, S. J. Lee, K. I. Cho, J. Jang, and C. S. Hwang, J. Mater. Chem. C 4, 11298 (2016).
DOI
|
5 |
C. Zhao, C. Tan, D. H. Lien, X. Song, M. Amani, M. Hettick, H. Y. Y. Nyein, Z. Yuan, L. Li, M. C. Scott and A. Javey, Nat. Nanotech. 15, 53 (2020).
DOI
|
6 |
G. Hautier, A. Miglio, G.Ceder, G. M. Rignanese, and X. Gonze, Nat. Commun. 4, 2292 (2013).
DOI
|
7 |
J. H. Bae, Ji. H.Lee, S. P.Park, T. S. Jung, H. J. Kim, Do. Kim, S. W. Lee, K. S. Park, S. Y. Yoon, I.B. Kang, and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 38350 (2020).
DOI
|
8 |
F. Shan, A. Liu, H. Zhu, W. Kong, J. Liu, B. Shin, E. Fortunato, R. Martins, and G. Liu, J. Mater. Chem. C 4, 9438 (2016).
DOI
|
9 |
A. Liu, H. Zhu, Z. Guo, Y. Meng, G. Liu, E. Fortunato, R. Martins, and F. Shan, Adv. Mater. 29, 1701599 (2017).
DOI
|
10 |
J. A. Caraveo-Frescas, P. K. Nayak, H. A. AlJawhari, D. B. Granato, U. SchwingenschlOgl, and H. N. Alshareef, ACS Nano, 7, 5160 (2013).
DOI
|
11 |
C. W. Shih, A. Chin, Ch. F. Lu, and W. F. Su, Sci. Rep. 8, 889 (2018).
DOI
|
12 |
C. W. Zhong, H. C. Lin, Ko. C. Liu, and T. Y. Huang, IEEE Elect. Dev. Lett. 36, 1053 (2015).
DOI
|
13 |
T. Kim, B. Yoo, Y. Youn, M. Lee, A. Song, K. B. Chung, S. Han, and J. K. Jeong, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 40214 (2019).
DOI
|
14 |
A. Liu, H. Zhu, W. T. Park, S. J. Kim, H. Kim, M. G. Kim, and Y. Y. Noh, Nat. Commun. 11, 4309 (2020).
DOI
|
15 |
P. C. Chen, Y. C. Chiu, G. L. Liou, Z. W. Zheng, C. H. Cheng, and Y. H. Wu, IEEE Electron Device Lett. 38, 210 (2017).
DOI
|
16 |
M. G. Chae, S. H. Han, B. K. Park, T. M. Chung, and J. H. Han, Appl. Sur. Sci. 547, 148758 (2021).
DOI
|
17 |
K. Okamura, B. Nasr, R. A. Branda, H. Hahn, J. Mater. Chem. 22, 4607 (2012).
DOI
|
18 |
K. Yim, Y. Youn, M. Lee, D. Yoo, J. Lee, S. H. Cho, and S. Han, npj Comput. Mater. 4, 17 (2018).
DOI
|
19 |
M. Napari, T. N. Huq, D. J. Meeth, M. J. Heikkila, K. M. Niang, H.Wang, T. Iivonen, H. Wang, M. Leskela, M. Ritala, A. J. Flewitt, R. L. Z. Hoye, and J. L. MacManus-Driscoll, ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 4156 (2021).
DOI
|
20 |
Y. Jang, I. W. Yeu, J. S. Kim, J. H. Han, J. H. Choi, and C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 5, 1900371 (2019).
DOI
|
21 |
E. Fortunato, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S. H. K. Park, C. S. Hwang, and R. Martins, Appl. Phys. Lett. 97, 052105 (2010).
DOI
|
22 |
M. G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, Nat. Mater. 10, 382 (2011).
DOI
|