1 |
T.J. Kang, J. W. Yoon, D. I. Kim, S. S. Kum, Y. H. Huh, J. H. Hahn, S. H. Moon, H. Y. Lee, and Y. H. Kim, Adv. Mater., 19, 427 (2007),
DOI
|
2 |
C. He, N. Zhao, C. Shi, X. Du, J. Li, H. Li, and Q. Cui, Adv. Mater., 19, 1128 (2007).
DOI
|
3 |
S. I. Cha, K. T. Kim, S. N. Arshad, C. B. Mo, and S. H. Hong, Adv. Mater., 17, 1377 (2005).
DOI
|
4 |
I. Kim, K. Woo, Z. Zhong, E. Lee, D. Kang, S. Jeong, Y. M. Choi, Y. Jang, S. Kwon, and J. Moon, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 6163 (2017),
DOI
|
5 |
S. Kim, S. Won, G. D. Sim, I. Park, and S. B. Lee, Nanotechnology, 24, .085701 (2013).
DOI
|
6 |
S. Park, M. Vosguerichian, and Z. Bao, Nanoscale, 5, 1727 (2013).
DOI
|
7 |
H. J. Hwang, S.J. Joo, and H. S. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 7, 25413 (2015).
DOI
|
8 |
K. S. Kim, B. G. Park, K. H. Jung, and S. B. Jung, Proc. 19th Int. Conf. on Comp. Mater. (eds. S. V. Hoa and P. Hubert) (Canadian Association for Composite Structures and Materials, Quebec, Canada, 2013) p. 7778.
|
9 |
S. Zhang, N. Nguyen, B. Leonhardt, C. Jolowsky, A. Hao, J. G. Park, and R. Liang, Adv, EIectron. Mater., 5, 1800811 (2019).
DOI
|
10 |
C. F. Deng, D. Z. Wang, X. X. Zhang, and A. B. Li, Mater. Sci. Eng. A, 444, 138 (2007).
DOI
|
11 |
B. Rudra and D. Jennings, IEEE Trans, Reliab., 43, 354 (1994).
DOI
|
12 |
K. S. Kim, J. O. Bang, and S. B. Jung, Curr. Appl. Phys., 13 S190 (2013).
DOI
|
13 |
K. S. Kim, S. B. Jung, and D. U. Kim, J. Mater. Sci. : Mater. in Electron., 27, 9676 (2016).
DOI
|
14 |
T. G. Yun, M. Park, D.H. Kim, D. Kim, J. Y. Cheong, J. G. Bae, S. M. Han, and I. D. Kim, ACS Nano, 13, 3141 (2019)
DOI
|
15 |
K. S. Kim, S. B. Choi, D. U. Kim, C. R Lee, and J. W. Kim, J. Mater. Chem. A, 6, 12420 (2018),
DOI
|