Browse > Article

2차원 소재 위 고품위 원자층 박막 증착을 위한 상압 플라즈마 기반 표면 활성화 기술  

Gang, Myeong-Hun (광운대학교 전기공학과)
Lee, Tae-Hun (광운대학교 전기공학과)
Publication Information
Electrical & Electronic Materials / v.32, no.1, 2019 , pp. 16-23 More about this Journal
Keywords
Citations & Related Records
연도 인용수 순위
  • Reference
1 C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science, 312, 385 (2008).
2 F. Schwierz, Nat. Nanotechnol., 5, 487 (2010).   DOI
3 Y. Shao, J. Wang, H. Wu, L. Jun, I. A. Aksay, and Y. Lin, Electroanalysis, 22, 1027 (2010).   DOI
4 N. Li, X. Zhang, Q. Song, R. Su, Q. Zhang, T. Kong, L. Liu, G. Jin, M. Tang, and G. Cheng, Biomaterials, 32, 9374 (2011).   DOI
5 K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature, 457, 706 (2009).   DOI
6 S. K. Lee, B. J. Kim, H. Jang, S. C. Yoon, C. Lee, B. H. Hong, J. A. Rogers, J. H. Cho, and J. H. Ahn, Nano Lett., 11, 4642 (2011).   DOI
7 H. Lee, T. K. Choi, Y. B. Lee, H. R. Cho, R. Ghaffari, L. Wang, H. J. Choi, T. D. Chung, N. Lu, T. Hyeon, S. H. Choi, and D. H. Kim, Nat. Nanotechnol., 11, 566 (2016).   DOI
8 X. Wang, S. M. Tabakman, and H. Dai, J. Am. Chem. Soc, 130, 8152 (2008).   DOI
9 R. J. Zaldivar, J. P. Nokes, P. M. Adams, K. Hammoud, and H. I. Kim, Carbon, 50, 2966 (2012).   DOI
10 W. C. Shin, J. H. Bong, S. Y. Choi, and B. J. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 11515 (2013).   DOI
11 J. W Shin, M. H. Kang, S. Oh, B. C. Yang, K. Seong, H. S. Ahn, T. H. Lee, and J. An, Nanotechnology, 29, 195602 (2018).   DOI
12 A. Nourbakhsh, M. Cantoro, A. V. Klekachev, G. Pourtois, T. Vosch, J. Hofkens, M. H. Van Der Veen, M. M. Heyns, S. De Gendt, and B. F. Sels, J. Phys. Chem. C, 115, 16619 (2011).   DOI
13 K. Kim, H. B. R. Lee, R. W. Johnson, J. T. Tanskanen, N. Liu, M. G. Kim, C. Pang, C. Ahn, S. F. Bent, and Z. Bao, Nat. commun., 5, 4781 (2014).   DOI
14 N. Peltekis, S. Kumar, N. McEvoy, K. Lee, A. Weidlich, and G. S. Duesberg, Carbon, 50, 395 (2012).   DOI
15 P. Zhou, S. Yang, Q. Sun, L. Chen, P. Wang, S. Ding, and D. W. Zhang, Sci. rep., 4, 6441 (2014).   DOI
16 K Kukli, M Ritala, J Aarik, T Uustare, and M Leskela, J. Appl. Phys., 92, 1833 (2005).   DOI
17 P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, and R. Martel, Nano Lett., 11, 132 (2011).   DOI
18 K. Kim, T. H. Lee, E. J. G. Santos, P. S. Jo, A. Salleo, Y. Nishi, and Z. Bao, ACS nano, 9, 5922 (2015).   DOI
19 T. H. Lee, K. Kim, G. Kim, H. J. Park, D. Scullion, L. Shaw, M. G. Kim, X. Gu, W. G. Bae, E. J. G. Santos, Z. Lee, H. S. Shin, Y. Nishi, and Z. Bao, Chem. Mater., 29, 2341 (2017).   DOI