Browse > Article
http://dx.doi.org/10.5012/bkcs.2013.34.9.2563

Single-Layer MoS2 Field Effect Transistor with Epitaxially Grown SrTiO3 Gate Dielectric on Nb-doped SrTiO3 Substrate  

Kim, Woo-Hee (Process Development Team, System LSI Division, Samsung Electronics)
Son, Jong Yeog (Department of Applied Physics, Kyung Hee University)
Publication Information
Bulletin of the Korean Chemical Society / v.34, no.9, 2013 , pp. 2563-2564 More about this Journal
Keywords
$MoS_2$; Field effect transistor; $SrTiO_3$ gate dielectric; Nb-doped STO;
Citations & Related Records
연도 인용수 순위
  • Reference
1 Lembke, D.; Kis, A. ACS Nano 2012, 6, 10070.   DOI   ScienceOn
2 Son, J. Y.; Shin, Y.-H.; Ryu, S.; Kim, H.; Jang, H. M. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 14676.   DOI   ScienceOn
3 Son, J. Y.; Shin, Y.-H.; Kim, H.; Jang, H. M. ACS Nano 2010, 4, 2655.   DOI   ScienceOn
4 Lee, Y.-H.; Zhang, X.-Q.; Zhang, W.; Chang, M.-T.; Lin, C.-T.; Chang, K.-D.; Yu, Y.-C.; Wang, J. T.-W.; Chang, C.-S.; Li, L.-J.; Lin, T.-W. Adv. Mater. 2012, 24, 2320.   DOI   ScienceOn
5 Hong, X.; Posadas, A.; Zou, C. H.; Zhu, J. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 136808.   DOI   ScienceOn
6 Shin, Y.-S.; Son, J. Y.; Jo, M.-H.; Shin, Y.-H.; Jang, H. M. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 5623.   DOI   ScienceOn
7 Ayari, A.; Cobas, E.; Ogundadegbe, O.; Fuhrer, M. S. J. of Appl. Phys. 2007, 101, 014507.   DOI   ScienceOn
8 Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Grigorieva, M. I. K. I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197.   DOI   ScienceOn
9 Zhang, Y.; Tan, Y.-W.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature 2005, 438, 201.   DOI   ScienceOn
10 Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.   DOI
11 Liu, H.; Neal, A. T.; Ye, P. D. ACS Nano 2012, 6, 8563.   DOI   ScienceOn
12 Chen, Y. L.; Analytis, J. G.; Chu, J. H.; Liu, Z. K.; Mo, S. K.; Qi, X.-L.; Zhang, H. J.; Lu, D. H.; Dai, X.; Fang, Z. Science 2009, 325, 178.   DOI   ScienceOn
13 Zhang, H.; Liu, C.-X.; Qi, X.-L.; Dai, X.; Fang, Z.; Zhang, S.-C. Nat. Phys. 2009, 5, 438.   DOI   ScienceOn
14 Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Dravid, V. P.; Rao, C. N. R. ACS Nano 2012, 6, 5635.   DOI   ScienceOn
15 Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11, 3768.   DOI   ScienceOn
16 Liu, H.; Gu, J.; Ye, P. D. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 1273.   DOI   ScienceOn
17 Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451.   DOI   ScienceOn
18 Liu, H.; Ye, P. D. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 546.   DOI   ScienceOn