1 |
Nicholls, J. F. H.; Gallagher, H.; Henderson, B.; Trager-Cowan, C.; Middleton, P. G.; O'Donnell, K. P.; Cheng, T. S.; Foxon, C. T.; Chai, B. H. T. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1996, 395, 535.
|
2 |
Okata, M.; Higaki, Y.; Yanagi, T.; Shimizu, Y.; Nanishi, Y.; Ishii,T.; Miyazawa, S. J. Crystal Growth 1998, 189/190, 213.
DOI
ScienceOn
|
3 |
Oktyabrsky, S.; Dovidenko, K.; Sharma, A. K.; Joshkin, V.; Narayan, J. MRS Internet, J. Nitride Semicond. Res. 1998, 4S1, G6.46.
|
4 |
Sumiya, M.; Ohnishi, T.; Tanaka, M.; Ohtomo, A.; Kawasaki, M.;Yoshimoto, M.; Koinuma, K.; Ohtsuka, K.; Fuke, S. MRSInternet, J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G6.23.
|
5 |
Kung, P.; Saxler, A.; Zhang, X.; Walker, D.; Lavado, R.; Razeghi,M. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2116.
DOI
ScienceOn
|
6 |
Tazoh, Y.; Ishii, T.; Miyazawa, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36,L746.
DOI
ScienceOn
|
7 |
Doolittle, W. A.; Kang, S.; Kropewnicki, T. J.; Stock, S.; Kohl, P.A.; Brown, A. S. J. Electron Mater. 1998, 27, L58.
DOI
|
8 |
Sheldrick, G. M. Acta Crystallogr. 1990, A46, 467.
|
9 |
Ishizaka, A.; Shiraki, Y. J. Electrochem. Soc. 1986, 133, 666.
DOI
|
10 |
Marezio, M. Acta Crystallogr. 1965, 18, 481.
DOI
|
11 |
Ishii, T.; Tazoh, Y.; Miyazawa, S. J. Crystal Growth 1998, 186,409.
DOI
ScienceOn
|
12 |
Dovidenko, K.; Oktyabrsky, S.; Narayan, J.; Razeghi, M. MRSInternet, J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G6.46.
|
13 |
Hellman, E. S. MRS Internet, J. Nitride Semicond. Res. 1998, 3,11.
|
14 |
Shriver, D. F.; Drezdon, M. A. The Manipulation of Air SensitiveCompounds, 2nd ed., Wiley: New York, 1986.
|
15 |
Song, S.; Lee, S. S.; Yoo, S. H.; Chung, T.; Kim, C. G.; Lee, S.;Kim, Y. Bull. Korean Chem. Soc. 2003, 24, 953.
DOI
|
16 |
Sung, M. M.; Kim, Y. Bull. Korean Chem. Soc. 1990, 11, 118.
|
17 |
Rouvi"ere, J. L.; Arlery, M.; Niebuhr, R.; Bachem, K. H.; Briot,O. MRS Internet, J. Nitride Semicond. Res. 1996, 1, 33.
|
18 |
Jung, E.; Yoo, S. H.; Chung, T.; Kim, C. G.; Kim, Y.; Jung, D. Y.Inorganic Chemistry Communications 2002, 5, 439.
DOI
ScienceOn
|
19 |
Sheldrick, G. M. SHELXL-93: Program for Crystal StructureRefinement; University of Göttingen: Göttingen, Germany, 1993.
|
20 |
Armarego, W. L. F.; Perrin, D. D. Purification of LaboratoryChemicals, 4th ed.; Butterworth-Heinemann: Oxford, 1996.
|
21 |
MacKenzie, J. D.; Donovan, S. M.; Abernathy, C. R.; Pearton, S.J.; Holloway, P. H.; Linares, R.; Zavada, J.; Chai, B. J. Electrochem.Soc. 1998, 145, 2581.
DOI
|
22 |
Piquette, E. C.; Bridger, P. M.; Beach, R. A.; McGill, T. C. MRSInternet, J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G3.77.
|