1 |
Jaffe, B.; Roth, R. S.; Marzullo, S. J. Appl. Phys. 1954, 25, 809.
DOI
|
2 |
Buchanan, R. C. Ceramic Materials for Electronics, 2nd ed.;Marcel Dekker: New York., 1991; p 186.
|
3 |
Chen, M.; James, P. F.; Lee, W. E. J. Sol-Gel Sci. and Tech. 1994,1, 99.
DOI
|
4 |
Kwok, C. K.; Desu, S. B. J. Mater. Res. 1994, 9, 1728.
DOI
|
5 |
Bagwell, R. B.; Messing, G. L. J. Am. Ceram. Soc. 1999, 82, 825.
DOI
ScienceOn
|
6 |
Othman, B. M.; Suzuki, H.; Murakami, K.; Kaneko, S.; Hayashi,T. IEEE Trans. Electron Device 1996, 2, 731.
|
7 |
Ravindrauathan, P.; Komarneni, S.; Roy, R. J. Am. Ceram. Soc.1990, 73, 1024.
DOI
|
8 |
Liu, C.; Komarneni, S.; Roy, R. J. Am. Ceram. Soc. 1992, 75,2665.
DOI
|
9 |
Zhang, Q.; Whatmore, R.; Vickers, M. E. J. Sol-Gel Sci. and Tech.1999, 15, 13.
DOI
ScienceOn
|
10 |
Kim, A.; Jun, M.; Hwang, S. J. Am. Ceram. Soc. 1999, 82, 289.
DOI
ScienceOn
|
11 |
Carvalho, J. C.; Paiva-Santos, C. O.; Zaghete, M. A.; Oliveira, C.F.; Varela, J. A.; Longo, E. J. Mater. Res. 1996, 11, 1795.
DOI
|
12 |
Lakeman, C. D. E.; Payne, D. A. J. Am. Ceram. Soc. 1992, 75,3091.
DOI
|
13 |
Zhang, H.; Uusimaki, A.; Leppavuori, S.; Karjalainen, P. J. Appl.Phys. 1994, 76, 4294.
DOI
ScienceOn
|
14 |
Taguchi, I.; Pignolet, A.; Wang, L.; Proctor, M.; Levy, F.; Schmid,P. E. J. Appl. Phys. 1993, 74, 6625.
DOI
ScienceOn
|
15 |
Liu, D.; Zhang, H.; Wang, Z.; Zhao, L. J. Mater. Res. 2000, 15,1336.
DOI
ScienceOn
|
16 |
Okuyama, M.; Fukui, T.; Sakurai, C. L. J. Mater. Res. 1992, 7, 2281.
DOI
|
17 |
Moazzami, R.; Hu, C.; Shepherd, W. H. IEEE Trans. ElectronDevice 1992, 39, 2044.
DOI
ScienceOn
|
18 |
Chen, K. C.; Mackenzie, J. D. Mat. Res. Soc. Sym. Proc. 1990,180, 663.
DOI
|
19 |
Chen, Y. F.; Nass, R. J. Sol-Gel Sci. and Tech. 1997, 8, 385.
|
20 |
Wu, A.; Vilarinho, P. M.; Salvado, I. M. M.; Baptista, J. J. Am.Ceram. Soc. 2000, 83, 1379.
DOI
ScienceOn
|
21 |
Lurio, A.; Burns, G. J. Appl. Phys. 1974, 45, 1986.
DOI
ScienceOn
|
22 |
Last, J. T. Phys. Rev. 1957, 105, 1740.
DOI
|