A Study of Data correction method when in-situ end point detection in Chemical-Mechanical Polishing of Copper Overlay

Knowledge of the manufacturing process of semiconductor devices in order to obtain a copper pattern using chemical mechanical polishing (CMP) planarization using a Wafer polishing process is applied with a thickness of the copper measured in real time, which need to be precisely controlled by, where the acquisition the actual thickness of the sensor value with the calculated value in terms of error can occur in the process. Approximated the actual measurement values so as to obtain a method using a simple average, moving average, compared to the results using filters onggo Strom real-time measurements of the thickness of the units of the control system to reduce the variation in the implementation of the method described for the.

구리 박막 CMP의 실시간 end point detection을 위한 데이터 정밀도 개선 방법에 관한 연구

반도체소자의 제조 공정 기술 중 구리패턴을 얻기 위해서 사용하는 화학 기계적 연마(CMP)를 이용한 평탄화와 연마 공정에서 Wafer에 도포된 구리의 두께를 실시간으로 측정하여 정밀하게 제어할필요가 있는데, 이때 획득되는 센서값을 실제 두께 값으로 환산하는 계산과정에서 오차가 발생할 수 있다. 실제 측정 값에 근사한 값을 얻도록 단순평균을 이용한 방법, 이동 평균, 필터 들을 사용하여 결과를 비교하여 옹고스트롬 단위의 두께를 실시간으로 측정하는 제어 시스템의 편차를 줄이도록 하는 방법의 구현에 대해 기술한다.