Electrical Characteristics of BST Thin Films with Various Film Thickness

The BST $({Bal-xSrxTiO_3})$ (50/50) thin film has been grown by RF magnetron reactive sputtering and its characteristics such as crystallization, surface roughness, and electrical properties have been investigated with varying the film thickness. The crystallization and surface roughness of BST thin film are investigated by using XRD and AFM, respectively. The BST thin film annealed at $800^{\circ}C$ for 2 min has pure perovskite structure and good surface roughness of 16.1$\AA$. As the film thickness increases from 80 nm to 240 nm, the dielectric constant at 10 KHz increases from 199 to 265 and the leakage current density at 250 ㎸/cm decreases from $0.779 {\mu}A/{cm^2} to 0.184 {\mu}A/{cm^2}$. In the case of 240 nm-thick BST thin film, the charge storage density and leakage current density at 5V are 50.5 fC/${{\mu}m^2} and 0.182 {\mu}A/{cm^2}$, respectively. The values indicate that the BST thin film is a very useful dielectric material for the DRAM capacitor.

BST 박막의 두께 변화에 따른 전기적 특성에 관한 연구

RF magnetron reactive sputtering 법으로 BST(Bal-xSrxTiO$_3$)(50/50) 박막을 제작하여, 박막의 결정화 특성 및 표면상태와 함께 박막의 두께에 따른 전기적 특성을 조사하였다. XRD와 AFM을 이용하여 BST 박막의 결정화 특성과 표면상태를 관찰한 결과, 80$0^{\circ}C$ 에서 2분간 후열처리한 박막은 완전한 perovskite 구조를 가지며 표면거칠기도 16.1$\AA$으로 양호한 값을 나타내었다. 박막의 두께가 80nm에서 240nm으로 증가함에 따라 10KHz에서 비유전률은 199에서 265로 증가하였고, 250㎸/cm의 전기장에서 누설 전류밀도는 $0.779 {\mu}m/{cm^2}에서 0.184 {\mu}A/{cm^2}$으로 감소하였다. 두께 240nm인 BST 박막의 경우, 5V에서의 전하축적 밀도와 누설전류밀도는 각각 50.5 $fC/{{\mu}m^2} 와 0.182 {\mu}A/{cm^2}$로, 이는 DRAM의 캐패시터 절연막 응용에 매우 유망한 물질임을 나타내는 결과이다.