1 |
E. Jalaguier, B. Aspar, S. Pocas, J. F. Michaud, M. Zussy, A. M. Papon and M. Bruel, Electron. Lett. 34, 408 (1998)
DOI
ScienceOn
|
2 |
F. Li, M. K. Balazs and B. E. Deal, Solid State Technol. 43, 87 (2000)
DOI
ScienceOn
|
3 |
Q. Lai, P. Pliska, J. Schmid, W. Hunziker and H. Melchior, Electron. Lett. 29, 714 (1993)
DOI
ScienceOn
|
4 |
C. H. Kong, K. Kondo, J. Lagowski and H. C. Gatos, J. Electrochem. Soc. 134, 1261 (1987)
DOI
ScienceOn
|
5 |
Y. S. Wu, R. S. Feigelson, R. K. Route, D. Zheng, L. A. Gordon, M. M. Fejer and R. L. Byer, J. Appl. Phys. 83, 5552 (1998)
DOI
ScienceOn
|
6 |
J. M. London, A. H. Loomis, J. F. Ahadian and C. G. Fonstad, Jr. IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 958 (1999)
DOI
ScienceOn
|
7 |
Shinpei Ogawa, Masahiro Imada and Susumu Nodab, Appl. Phys. Lett. 82, 3406 (2003)
DOI
ScienceOn
|
8 |
Young Tae Byun, Kyung Hyun Park, Sun Ho Kim, Sang Sam Choi, Jong Chang Yi and Tong Kun Lim, Appl. Opt. 37, 496 (1998)
DOI
ScienceOn
|
9 |
Young Tae Byun and Hyoung Kwon Kim, Sae Muli 46, 297 (2003)
|
10 |
E. Jalaguier, B. Aspar, S. Pocas, J. F. Michaud, A. M. Papon and M. Bruel, in Proceedings of the 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Davos, Switzerland, 1999), p. 26
|
11 |
P. Kopperschmidt, S. Senz, G. Kastner, D. Hesse and U. M. Gosele, Appl. Phys. Lett. 72, 3181 (1998)
DOI
ScienceOn
|
12 |
J. L. Pelloie, C. Raynaud, O. Faynot, A. Groullet and J. Du Port de Pontcharra, Microelectron. Eng. 48, 327 (1999)
DOI
ScienceOn
|
13 |
L. Di Cioccio, Y. Letiec, F. Letertre, C. Jaussaud and M. Bruel, Electron. Lett. 32, 1144 (1996)
DOI
ScienceOn
|
14 |
M. Bruel, Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
DOI
ScienceOn
|
15 |
P. J. McMarr, B. J. Mrstik, R. K. Lawrence and G. G. Jernigan, IEEE Trans. Nucl. Sci. 44, 2115 (1997)
DOI
ScienceOn
|