1 |
G. Horowitz, X. Peng, D. Fichou, and F. Garnier, J. Appl. Phys., 67, 528 (1990)
DOI
|
2 |
J. Collet and D. Vuillaume, AppI. Phys. Lett., 73, 2683 (1998)
|
3 |
A. Kubono, N. Yuasa, H. L. Shao, S. Umemoto, and N. Okui, Thin Solid Films, 289, 107 (1996)
DOI
|
4 |
W. Shockley, Proc. IRE., 40, 1365 (1952)
|
5 |
Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, MateriaIs Reseorch Society Symposium Proceedings, 413, 413 (1996)
|
6 |
Y. S. Yang, S. H. Kim, J. I. Lee, H. Y. Chu, L. M. Do, H. Lee, J. Oh, and T. Zyong, AppI. Phys. Lett., 80. 1595 (2002)
DOI
ScienceOn
|
7 |
H. Klauk, D. J. Gundlach, J. A. Nicholes, C. D. Sheraw, M. Bonse, and T. N. Jackson, Solid State Technol, 43, 63 (2000)
|
8 |
X. Peng, G. Horowitz, D. Fichou, and F. Garnier, AppI. Phys. Lett., 57, 2013 (1990)
DOI
|
9 |
Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jaclson, IEEE Trans. EIectron Devices., 44, 1325 (1997)
DOI
ScienceOn
|
10 |
E. P. Gusev, H.-C. Lu, E. L. Garfunkel, T. Gustafsson, and M. L. Green, IBM J. RES. DEVELOP., 43. 265 (1999)
DOI
|
11 |
T. Kashiro, S. Kawamura, N. Imai, K. Fukuda, K. Matsumura, and N. Ibaraki, J. Non-Cryst. SoIids, 198-200, 1130 (1996)
DOI
ScienceOn
|
12 |
L. Torsi, N. Cioffi, C. Di Franco, L. Sabbatini, P, G, Zambonin, and T. Bleve-Zacheo, Solid-State Electronics, 45, 1479 (2001)
DOI
ScienceOn
|
13 |
Y. M. Kim, S. W. Pyo, J. H. Kim, J. H. Shim, Y. K. Kim, and J. S. Kim, J. Kor. Inst. Elec. Elect. Mater. Eng., 15, 110 (2002)
DOI
|
14 |
S. F. AIvarado, W. , M. Jandke, and P. Strohriegl, Organic EIectronics, 2, 75 (2001)
DOI
ScienceOn
|
15 |
L. Torsi, A, Dodabalapur, and H. E. Katz, J. Appl. Phys., 78, 1088 (1995)
DOI
ScienceOn
|