1 |
C. H. Lee, D. Striakhilev, and A. Nathan, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1 (2007).
DOI
|
2 |
C. S. Yang, L. L. Smith, C. B. Artur, and G. Parsons, J. Vac. Sci. Tech. B18, 683 (2000).
|
3 |
J. G. Kim, Z. T. Park, Y. S. Choi, J. H. Boo, and Y. J. Yu, J. Kor. Inst. Met. & Mater. 41, 6 (2003).
|
4 |
K. S. Keum, J. D. Hwang, J. Y. Kim, and W. S. Hong, Korean J. Met. Mater. 50, 331 (2012).
DOI
|
5 |
H. Uchida, K. Takechi, S. Nishida, and S. Kaneko, Japan. J. Appl. Phys. 30, 3691 (1991).
DOI
|
6 |
I. Kobayashi, T. Ogawa, and S. Hotta, Japan. J. Appl. Phys. 31, 336 (1992).
DOI
|
7 |
A. Sazonov, D. Stryahilev, A. Nathan, and D. Bogomolova, J. Non-Cryst. Solids 1360, 299 (2002).
|
8 |
K. J. Park and N. Gregory. J. Parsons, Vac. Sci. Technol. A22, 6 (2004).
|
9 |
D. L. Smith, A. S. Alimonda, J. Von, and P. Frederick, J. Vac. Sci. Technol. B8, 551 (1990).
|
10 |
D. L. Smith, A. S. Alimonda, C. C. Chen, S. E. Ready, and B. Wacker, J. Electrochem. Soc. 137, 614 (1990).
DOI
|
11 |
A. Sazonov, A. Nathan, and D. Striakhilev, J. Non-Cryst. Solids 1329, 266 (2000).
|
12 |
S. Sitbon, M. C. Hugon, B. Agius, F. Abel, J. L. Courant, and M. Puech, J. Vac. Sci. Technol. A13, 2900 (1995).
|
13 |
K. Allaert, A. Van Calster, H. Loos, and A. Lequesne, J. Electrochem. Soc. 132, 1763 (1985).
DOI
ScienceOn
|
14 |
F. Delmotte, M. C. Hugon, B. Agiusa, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. 15, 1919 (1997).
DOI
ScienceOn
|
15 |
M. J. Loboda and J. A. Seifferly, J. Mater. Res. 11, 391 (1996).
DOI
|
16 |
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices 2nd Wiley New York (1981).
|