1 |
N. Fujiwara, T. Maruyama, and M. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 2095 (1995)
DOI
|
2 |
T. Nozawa, T. Kinoshita, T. Nishizuka, and A. Nariai, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 2107 (1995)
DOI
|
3 |
J. Foucher, G. Cunge, L. Vallier, and O. Joubert, Microelect. Eng., 61-62, 849 (2002)
DOI
ScienceOn
|
4 |
G. S. Hwang and K. P. Giapis, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 70 (1997)
DOI
ScienceOn
|
5 |
K. E. Petersen, IEEE Proc., 70, 420 (1982)
DOI
ScienceOn
|
6 |
K. Miwa and T. Mukai, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 2120 (2002)
DOI
ScienceOn
|
7 |
V. M. Donnelly and N. Layadi, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 1571 (1998)
DOI
ScienceOn
|
8 |
C. K. Ko and W. G. Lee, J. Ind. Eng. Chem., in press (2009)
|
9 |
H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, K. Iwadate, and K. Murase, Microelect. Eng., 27, 71 (1995)
DOI
ScienceOn
|
10 |
K. K. Chi, H. S. Shin, W. J. Yoo, and C. O. Jung, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 2440 (1996)
DOI
|