1 |
P. Normand, E. Kapetanakis, P. Dimitrakis, D. Skarlatos, D. Tsoukalas, K. Beltsios, A. Claverie, G. Benassayag, C. Bonafos, M. Carrada, N. Cherkashin, V. Soncini, A. Agarwal, Ch. Sohl, and M. Ameen, Microelectron. Eng., 67, 629 (2003)
DOI
|
2 |
Y. Kim, K. H. Park, W. C. Choi, T. H. Chung, H. J. Bark, J. Y. Yi, and J. Jeong, Mater. Sci. Eng. B, 83, 145 (2001)
DOI
|
3 |
S. H. Jeong, Y. K. Cha, I. K. Yoo, Y. S. Song, and C. W. Chung, Chem. Mater., 16, 1612 (2004)
DOI
ScienceOn
|
4 |
Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto Jpn. J. Appl. Phys., 38, 425 (1999)
DOI
|
5 |
S. Lee, Y. S. Shim, H. Y. Cho, D. Y. Kim, T. W. Kim, and K. L. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 7180 (2003)
DOI
|
6 |
A. Mozalev, M. Sakairi, I. Saeki, and H. Takahashi, Electrochim. Acta, 48, 3155 (2003)
DOI
ScienceOn
|
7 |
S. Lee, Y. S. Shim, H. Y. Cho, T. W. Kang, D. Y. Kim, Y. H. Lee, and K. L. Wang, Thin Solid Films, 451, 379 (2004)
DOI
|