1 |
W. Schottky, Naturwissenschaften, 26, 843 (1938).
DOI
|
2 |
S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3th ed., p. 134, Wiley, Newyork, USA, (2007).
|
3 |
D. Perrone, M. Naretto, S. Ferrero, L. Scaltrito and C. F. Pirri, Mater. Sci. Forum, 615-617, 647 (2009).
DOI
|
4 |
W. D. Bosscher, R. L. V. Meirhaeghe, P. L. Hanselaer, L. Caenepeel, W. H. Laflere and F. Cardon, Semicond. Sci. Technol., 1, 376 (1986).
DOI
|
5 |
W. D. Bosscher, R. L. V. Meirhaeghe, A. D. Laere, W. H. Laflere and F. Cardon, Solid State Electron., 31, 945 (1988).
DOI
|
6 |
J. S. Kim, H. H. Choi, S. H. Son and S. Y. Choi, Appl. Phys. Lett., 79, 860 (2001).
DOI
|
7 |
W.-F. Wu, K.-C. Tsai, C.-G. Chao, J.-C. Chen and K.-L. Ou, J. Electron. Mater., 34, 1150 (2005).
DOI
|
8 |
J. Y. Park, J. Y. Kim, Y. D. Kim, H. Jeon and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc., 42, 817 (2003).
|
9 |
C. Y. Ting and M. Wittmer, J. Appl. Phys., 54, 937 (1983).
DOI
|
10 |
W. Kern, J. Electrochem. Soc., 137, 1887 (1990).
DOI
|
11 |
J. F. Jongste, O. B. Loopstra, G. C. A. M. Janssen and S. Radelaar, J. Appl. Phys., 73, 2816 (1993)
DOI
|