1 |
R. S. Deshpande, V. Bulovic and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 75, 888 (1999).
DOI
|
2 |
J. H. Wendorff, T. Christ, B. Gliisen, A. Greiner, A. Kettner, R. Sander, V. Stumpflen and V. V. Tsukruk, Adv. Mater., 9, 49 (1997).
|
3 |
W. Lu, I. Kamiya, M. Ichida and H. Ando, Appl. Phys. Lett., 95, 083102 (2009).
DOI
|
4 |
D. Bera, L. Qian, T. K. Tseng and P. H. Holloway, Materials, 3, 2260 (2010).
DOI
|
5 |
Y. Yang, C. Zhang, X. Qu, W. Zhang, M. Marus, B. Xu, K. Wang and X. W. Sun, IEEE Trans. Nanotechnol., 18, 220 (2019).
DOI
|
6 |
Q. Chen, Y. Yan, X. Wu, X. Wang, G. Zhang, J. Chen, H. Chen and T. Guo, J. Mater. Chem. C, 8, 1280 (2020).
DOI
|
7 |
D. Chirvase, Z. Chiguvare, M. Knipper, J. Parisi, V. Dyakonov and J. C. Hummelen, J. Appl. Phys., 93, 3376 (2003).
DOI
|
8 |
E. Kim, Y. Xia and G. M. Whitesides, Nature, 376, 581 (1995).
DOI
|
9 |
A. W. Adamson and A. P. Gast, Physical Chemistry of Surfaces, 6th ed., Chap. 1, John Wiley & Son, New York (1997)
|
10 |
P. O. Anikeeva, J. E. Halpert, M. G. Bawendi and V. Bulovic, Nano Lett., 9, 2532 (2009).
DOI
|
11 |
K. H. Ok, J. W. Kim, S. R. Park, Y. M. Kim, C. J. Lee, S. J. Hong, M. G. Kwak, N. Kim, C. J. Han and J. W. Kim, Sci. Rep., 5, 9464 (2015).
DOI
|
12 |
S. Y. Kim, J. L. Lee, K. B. Kim and Y. H. Tak, J. Appl. Phys., 95, 2560 (2004).
DOI
|
13 |
C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm and A. Kahn, Appl. Phys. Lett., 70, 1348 (1997).
DOI
|