1 |
E. G. Han, E. A. Kim and K. W. Oh, Synth. Met., 123, 469 (2001).
DOI
|
2 |
J. H. Lee and H. K. Shon, J. KSPE, 27, 7 (2010).
|
3 |
J. H. Lee, H. K. Shon, J. G. Kim, and D. S. Shin, J. KSPE, 23, 13 (2006).
|
4 |
K. K. B. Hon, L. Li and I. M. Hutchings, CIRP Annals - Manuf. Technol., 57, 601 (2008).
DOI
|
5 |
Y. Zhang, H. N. Hansen, A. D. Grave, P. T. Tang and J. S. Nielsen, Int. J. Adv. Manuf. Technol., 55, 573 (2011).
DOI
|
6 |
Y. Zhang, P. T. Tang, H. N. Hansen and J. S. Nielsen, Plat. Surf. Finsh., 97, 43. (2010).
|
7 |
G. Naundorf and H. Wissbrock, Galvanotechnik, 91, 2449 (2000).
|
8 |
M. Huske, J. Kickelhain and J. Muller, Proceeding of the 3rd LANE (2001).
|
9 |
T. Leneke and S. Hirsch, Circuit World, 35, 23 (2009).
DOI
|
10 |
Y. Zhang, G. Kontogeorgis and H. N. Hansen, J. Adhes. Sci. Technol., 25, 16 (2011)
|
11 |
A. Islam, Ph.D. Thesis, p. 153, Technical University of Denmark (2008).
|
12 |
S. Z. Chu, M. Sakairi and H. Takahashi, J. Electrochem. Soc., 146, 537 (1999).
DOI
|
13 |
B. M. Paik, J. H. Lee, D. S. Shin and K.S. Lee, J. KSPE, 29, 41 (2012).
DOI
|
14 |
D. W. Ahn, B. G. Bak and D. E. Kim, J. KSPE, 27, 24 (2010).
|