1 |
S. H. Huh, H. J. Jeon, H. S. Chu, Y. S. Song, S. K. Lee, H. J. Lee and U. H. Lee, Korean J. Met. Mater., 52, 943 (2014).
DOI
|
2 |
S. M. Sze, VLSI Technology, 2nd Ed, p. 373, NcGraw Hill (1988).
|
3 |
S. H. Lee and N. J. Park, Korean J. Met. Mater., 45, 377 (2007).
|
4 |
D. Edelstein, J. Heidenreich, R. Goldblatt, W. Cote, C. Uzoh, N. Lustig, P. Roper, T. McDevittt, W. Motsifft, A. Simon, J. Dukovic, R. Wachnik, H. Rathore, R. Schulz, L. Su, S. Lucet and J. Slatteryt, IEEE Int. Electron Devices Meet. Digest, p.773 (1997).
|
5 |
H. C. Kim and J. J. Kim, Korean Chem. Eng. Res., 54, 723 (2016).
DOI
|
6 |
J. G. Ryan, R. M. Geffken, N. R. Poulin and J. R. Paraszczak, IBM J. Res. Dev., 39, 371 (1995).
DOI
|
7 |
P. V. Brande and R. Winand, Surf. Coat. Technol., 52, 1 (1992).
DOI
|
8 |
Z. Zhou and T. J. O'Keefe, J. Appl. Electrochem., 28, 461 (1998).
DOI
|
9 |
M. L. Sartorelli, A. Q. Schervenski, R. G. Delatorre and P. Klauss, Phys. Status Solidi A, 187, 91 (2001).
DOI
|
10 |
K. H. Hwang, K. I. Lee, S. K. Joo and T. Kang, J. Korean Associ. Cryst. Growth, 1, 79 (1991).
|
11 |
T. G. Woo, I. S. Park, H. W. Lee and K. W. Seol, Korean J. Mater. Res., 16, 11 (2006).
DOI
|
12 |
J. J. Yang, Y. L. Huang and K. W. Xu, Surf. Coat. Technol., 201, 5574 (2007).
DOI
|
13 |
V. A. Vas'ko, I. Tabakovic, S. C. Riemer and M. T. Kief, Microelectron. Eng., 75, 71 (2004).
DOI
|
14 |
C. M. Park, U. H. Lee and H. J. Lee, Korean J. Met. Mater., 54, 469 (2016).
DOI
|
15 |
S. K. Kim and J. J. Kim, Electrochem. Solid State Lett., 7, C98 (2004).
DOI
|
16 |
S. K. Cho, S. K. Kim and J. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 152, C330 (2005).
DOI
|
17 |
S. Choe, M. J. Kim, H. C. Kim, S. K. Cho, S. H. Ahn, S. K. Kim and J. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 160, D3179 (2013).
DOI
|
18 |
M. H. Kim, H. R. Cha, C. S. Choi, H. S. Kim and D. Y. Lee, Korean J. Met. Mater., 48, 757 (2010).
DOI
|
19 |
J. W. Gallaway, M. J. Willey and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 156, D287 (2009).
DOI
|
20 |
Y. Cao, P. Taephaisitphongse, R. Chalupa and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 148, C466 (2001).
DOI
|
21 |
S. K. Kim, D. Josell and T. Moffat, J. Electrochem. Soc., 153, C616 (2006).
DOI
|
22 |
Y. H. Jeong, Master Thesis(in Korean), p. 11-40, Dong-A University, Busan (2016).
|
23 |
T. S. Kuan, C. K. Inoki, G. S. Oehrlein, K. Rose, Y. P. Zhao, G. C. Wang, S. M. Rossnagel and C. Cabral, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 612, D7.1.1 (2000).
|
24 |
M. H. Kim, H. R. Cha, C. S. Choi, J. M. Kim and D. Y. Lee, Korean J. Met. Mater., 48, 884 (2010).
DOI
|
25 |
P. Stantke, JOM, 54, 19 (2002).
DOI
|
26 |
S. Yoshimura, S. Yoshihara, T. Shirakashi and E. Sato, Electrochim. Acta, 39, 589 (1994).
DOI
|
27 |
A. Gittis and D. Dobrev, Thin solid Films, 130, 335 (1985).
DOI
|
28 |
B. D. Cullity and S. R. Stock, Elements of X-ray Diffraction, third ed., p.170, Pearson Education, New Jersey (2001).
|
29 |
S. H. Lee and N. J. Park, Korean J. Met. Mater., 44, 556 (2006).
|