1 |
N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N. Y. Park, G. B. Stephenson, I. Stolitchnov, A. K. Taganstev, D. V. Taylor, T. Yamada and S. Streiffer, J. Appl. Phys., 100, 109901 (2006).
DOI
|
2 |
M. Dawber, K. M. Rabe and J. F. Scott, Rev. Mod. Phys., 77, 1083 (2005).
DOI
|
3 |
M. H. Park, Y. H. Lee, T. Mikolajick, U. Schroeder and C. S. Hwang, MRS Commun., 8, 795 (2018).
DOI
|
4 |
C. Li, C. Li, L. Huang, T. Li, W. Lu, X. Qiu, Z. Huang, Z. Liu, S. Zeng, R. Guo, Y. Zhao, K. Zeng, M. Coey, J. Chen, Ariando and T. Venkatesan, Nano Lett., 15, 2568 (2015)
DOI
|
5 |
F. A. Vargas, G. Kolhatkar, M. Broyer, A. H. Youssef, R. Nouar, A. Sarkissian, R. Thomas, C. Gomez-yanez, M. A. Gauthier and A. Ruediger, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 13262 (2017)
DOI
|
6 |
H. Ishiwara, Curr. Appl. Phys., 12, 603 (2012)
DOI
|
7 |
V. V. Zhirnov and R. K. Cavin, Nat. Nanotechnol., 3, 77 (2008).
DOI
|
8 |
J. Jo and C. Shin, IEEE Electron Device Lett., 37, 245 (2016).
DOI
|