1 |
S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol., B, 10, 1237 (1992).
DOI
|
2 |
S. Pearton, J. Zolper, R. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys., 86, 1 (1999).
DOI
|
3 |
K. Chang, C. Cheng, and C. Lang, Solid State Electron., 46, 1399 (2002).
DOI
|
4 |
Q. Wang, X. Cheng, L. Zheng, L. Shen, J. Li, D. Zhang, R. Qian, and Y. Yu, RSC Adv., 7, 11745 (2017).
DOI
|
5 |
X. Liu, S. Zhao, L. Zhang, H. Huang, J. Shi, C. Zhang, H. Lu, P. Wang, and D. Zhang, Nanoscale Res. Lett., 10, 109 (2015).
DOI
|
6 |
X. Lu, J. Ma, Z. Liu, H. Jiang, T. Huang, and K. Lau, Phys. Status Solidi A, 211, 775 (2014).
DOI
|
7 |
B. Lakshmi, M. Reddy, A. Kumar, and V. Reddy, Curr. Appl. Phys., 12, 765 (2012).
DOI
|
8 |
Y. Chang, H. Chiu,Y. Lee, M. Huang, K. Lee, Y. Chiu, Y. Wang, J. Kwo, and M. Hong, Appl. Phys. Lett., 90, 232904 (2007).
DOI
|
9 |
D. Ye, B. Yang, K. Ng, J. Bude, G. Wilk, S. Halder, and J. Hwang, Appl. Phys. Lett., 86, 063501 (2005).
DOI
|
10 |
H. Kang, M. Reddy, D. Kim, K. Kim, J. Ha, H. Choi, and J. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 155101 (2013).
DOI
|
11 |
S. Huang, Q. Jiang, S. Yang, Z. Tang, and K. Chen, IEEE Electron Dev. Lett., 34, 193 (2013).
DOI
|
12 |
X. Wu, R. Liang, L. Guo, L. Lei, L. Xiao, S. Shen, J. Xu, and J. Wang, Appl. Phys. Lett., 109, 232101 (2016).
DOI
|
13 |
H. Kim, D. Kim, and B. Choi, Appl. Phys. A, 123, 800 (2017).
DOI
|
14 |
J. Ma, B. Garni, N. Perkins, W. O’Brien, T. Kuech, and M. Lagally, Appl. Phys. Lett., 69, 3351 (1996).
DOI
|
15 |
R. Carli and C. Bianchi, Appl. Surf. Sci., 74, 99 (1994).
DOI
|
16 |
A. Chanda, S. Verma, and C. Jacob, Bull. Mater. Sci., 30, 561 (2007).
DOI
|
17 |
R. Suri, D. Lichtenwalner, and V. Misra, Appl. Phys. Lett., 96, 112905 (2010).
DOI
|
18 |
M. Alevli, C. Ozgit, I. Donmez, and N. Biyikli, Phys. Status Solidi A, 209, 266 (2012).
DOI
|
19 |
B. Brennan, X. Qin, H. Dong, J. Kim, and R. Wallace, Appl. Phys. Lett., 101, 211604 (2012).
DOI
|
20 |
R. Li, Y. Zhao, R. Hou, X. Ren, S. Yuan, Y. Lou, Z. Wang, D. Li, and L. Shi, J. Photochem. Photobiol., A, 319, 62 (2016).
|
21 |
L. Rebouta, A. Sousa, M. Andritschky, F. Cerqueira, C. Tavares, P. Santilli, and K. Pischow, Appl. Surf. Sci., 356, 203 (2015).
DOI
|
22 |
C. Hinkle, A. Sonnet, F. Vogel, S. McDonnell, G. Hughes, M. Milojevic, B. Lee, F. Aguirre-Tostado, K. Choi, H. Kim, J. Kim, and R. Wallace, Appl. Phys. Lett., 92, 071901 (2008).
DOI
|
23 |
W. Wei, Z. Qin, S. Fan, Z. Li, K. Shi, Q. Zhu, and G. Zhang, Nanoscale Res. Lett., 7, 562 (2012).
DOI
|
24 |
C. Negrila, M. Lazarescu, C. Logofatu, C. Cotirlan, R. Ghita, F. Frumosu, and L. Trupina, J. Nanomater., 2016, 7574526 (2016).
|
25 |
M. Alexander, G. Thompson, and G. Benmson, Surf. Interface Anal., 29, 468 (2000).
DOI
|
26 |
R. Tung, Mater. Sci. Eng. R, 35, 1 (2001).
DOI
|
27 |
S. Liu, S. Yang, Z. Tang, Q. Jiang, C. Liu, M. Wang, B. Shen, and K. Chen, Appl. Phys. Lett., 106, 051605 (2015).
DOI
|
28 |
J. Son, V. Chobpattana, B. McSkimming, and S. Stemmer, J. Vac. Sci. Technol. A, 33, 020602 (2015).
|
29 |
S. Ozaki, T. Ohki, M. Kanamura, T. Imada, N. Nakamura, N. Okamoto, T. Miyajima, and T. Kikkawa, CS MANTECH Conf. Apr. 23rd - 26th, 2012, Boston, USA
|
30 |
S. Yang, Z. Tang, K. Wong, Y. Lin, C. Liu, Y. Lu, S. Huang, and K. Chen, IEEE Electron Dev. Lett., 34, 1497 (2013).
DOI
|
31 |
J. Gao, W. Li, S. Mandal, and S. Chowdhury, Proc. SPIE 10381, Wide Bandgap Power Devices and Applications II, 1038103 (2017).
|
32 |
S. Gu, E. Chagarov, J. Min, S. Madisetti, S. Novak, S. Oktyabrsky, A. Kerr, T. Kaufman-Osborn, A. Kummel, and P. Asbeck, Appl. Surf. Sci. 317, 1022 (2014).
|