1 |
M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihela, and K. Kukli, Chem. Mater., 11, 1712 (1999).
DOI
|
2 |
B. J. Choi, J. Zhang, K. Norris, G. Gibson, K. M. Kim, W. Jackson, M. X. M. Zhang, Z. Li, J. J. Yang, and R. S. Williams, Adv. Mater., 28, 356 (2016).
DOI
|
3 |
C. M. Fang, E. Orhan, G. A. de Wijs, H. T. Hintzen, R. A. de Groot, R. Marchand, J.-Y. Saillard, and G. de With, J. Mater. Chem., 11, 1248 (2001).
DOI
|
4 |
C. L. Au, W. A. Anderson, D. A. Schmitz, J. C. Flassayer, and F. M. Collins, J. Mater. Res., 5, 1224 (1990).
DOI
|
5 |
T. Oku, E. Kawakami, M. Uekubo, K. Takahiro, S. Yamaguchi, and M. Murakami, Appl. Surf. Sci., 99, 265 (1996).
DOI
|
6 |
T. Yeh, D. Swanson, L. Berg, and P. Karn, IEEE Trans. Magn., 33, 3631 (1997).
DOI
|
7 |
S. I. Nakao, M. Numata, and T. Ohmi, Japanese J. Appl. Phys., 38, 2401 (1999).
DOI
|
8 |
K. Kim and J. Choi, in IEEE Non-Volatile Semicond. Mem. Work. (2006), pp. 9-11.
|
9 |
P. Zhang, J. Zhang, and J. Gong, Chem. Soc. Rev., 43, 4395 (2014).
DOI
|
10 |
L. Yu, C. Stampfl, D. Marshall, T. Eshrich, V. Narayanan, J. M. Rowell, N. Newman, and A. J. Freeman, Phys. Rev. B, 65, 245110 (2002).
DOI
|
11 |
S. M. Kang, S. G. Yoon, S. J. Suh, and D. H. Yoon, Thin Solid Films, 516, 3568 (2008).
DOI
|
12 |
H. Kim, A. J. Kellock, and S. M. Rossnagel, J. Appl. Phys., 92, 7080 (2002).
DOI
|
13 |
H.-S. Chung, J.-D. Kwon, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 153, C751 (2006).
DOI
|
14 |
Z. Fang, H. C. Aspinall, R. Odedra, and R. J. Potter, J. Cryst. Growth, 331, 33 (2011).
DOI
|
15 |
S. Somani, A. Mukhopadhyay, and C. Musgrave, J. Phys. Chem. C, 115, 11507 (2011).
DOI
|
16 |
B. B. Burton, A. R. Lavoie, and S. M. George, J. Electrochem. Soc., 155, D508 (2008).
DOI
|