1 |
Z. Zhou, C. Zhan, Y. Wang, Y. Su, Z. Yang and Y. Zhang, Mater. Lett., 65, 832 (2011).
DOI
|
2 |
M. Biswas, E. McGlynn and M. O. Henry, Microelectron. J., 40, 259 (2009).
DOI
|
3 |
Y. S. Lim, J. W. Park, S. T. Hong and J. Kim, Mater. Sci. Eng., B, 129, 100 (2006).
DOI
|
4 |
C. X. Xu, X. W. Sun, Z. L. Dong and M. B. Yu, Appl. Phys. Lett., 85, 3878 (2004).
DOI
|
5 |
B. D. Yao, Y. F. Chan and N. Wang, Appl. Phys. Lett., 81, 757 (2002).
DOI
|
6 |
H. Lv, D. D. Sang, H. D. Li, X. B. Du, D. M. Li and G. T. Zou, Nanoscale Res. Lett., 5, 620 (2010).
DOI
|
7 |
Z. Zhang, S. J. Wang, T. Yu and T. Wu, J. Phys. Chem. C, 111, 17500 (2007).
DOI
|
8 |
P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He and H. J. Choi, Adv. Funct. Mater., 12, 323 (2002).
DOI
|
9 |
X. Wang, J. Song and Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett., 424, 86 (2006).
DOI
|
10 |
S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh and C. J. Lee, Chem. Phys. Lett., 363, 134 (2002).
DOI
|