1 |
M. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo and P. Yang, Science, 292, 1897 (2001).
DOI
|
2 |
J. Johnson, H. Yan, P. Yang and R. Saykally, J. Phys. Chem. B, 107, 8816 (2003).
DOI
|
3 |
J. W. Kim, D. H. Kim, T. H. Ki, J. H. Park and J. M. Myoung, Korean J. Mater. Res., 27, 658 (2017).
DOI
|
4 |
S. H. Hwang, K. J. Moon, T. I. Lee and J. M. Myoung, Korean J. Mater. Res., 23, 255 (2013).
DOI
|
5 |
N. R. Kim, J. S. Kim, D. J. Byun, D. H. Rho and J. W. Yang, Korean J. Mater. Res., 13, 668 (2003).
DOI
|
6 |
W. Thongsuksai, G. Panomsuwan and A. Rodchanarowan, Mater. Lett., 224, 50 (2018).
DOI
|
7 |
R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964).
DOI
|
8 |
E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975).
DOI
|
9 |
G. H. Lee, Appl. Surf. Sci., 259, 562 (2012).
DOI
|
10 |
Y. Dai, Y. Zhang and Z. L. Wang, Solid State Commun., 126, 629 (2003).
DOI
|
11 |
M. Biswas and E. McGlynn and M. O. Henry, Microelectron. J., 40, 259 (2009).
DOI
|
12 |
X. Wang, J. Song and Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett., 424, 86 (2006).
DOI
|
13 |
S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh and C. J. Lee, Chem. Phys. Lett., 363, 134 (2002).
DOI
|