1 |
Y. Zhou, M. Ogawa, M. Bao, W. Han, R. Kawakami and K. Wang, Appl. Phys. Lett., 94, 242104 (2009).
DOI
|
2 |
B. Coss, C. Smith, W. Loh, P. Majhi, R. Wallace, J. Kim and R. Jammy, IEEE Electron Device Lett., 32, 862 (2011).
DOI
|
3 |
R. Lieten, S. Degroote, M. Kuijk and G. Borghs, Appl. Phys. Lett., 92, 022106 (2008).
DOI
|
4 |
D. Lee, S. Raghunathan, R. Wilson, D. Nikonov, K. Saraswat and S. Wang, Appl. Phys. Lett., 96, 052514 (2010).
DOI
|
5 |
M. Kobayashi, A. Kinoshita, K. Saraswat, H. Wong and Y. Nishi, J. Appl. Phys., 105, 023702 (2009).
DOI
|
6 |
B. Tsui and M. Kao, Appl. Phys. Lett., 103, 032104 (2013).
DOI
|
7 |
T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett., 91, 123123 (2007).
DOI
|
8 |
J. Wager and J. Robertson, J. Appl. Phys., 109, 094501 (2011).
DOI
|
9 |
J. Hu, A. Nainani, Y. Sun, K. Saraswat and H. Wong, Appl. Phys. Lett., 99, 252104 (2011).
DOI
|
10 |
J. Lee, T. Kaufman-Osborn, W. Melitz, S. Lee and A. Kumme, Surf. Sci., 605, 1583 (2011).
DOI
|
11 |
L. Papagno, D. Frankel, Y. Chen, L. Caputi, J. Anderson and G. Lapeyre, Surf. Sci., 248, 343 (1991).
DOI
|
12 |
J. Lee, T. Kaufman-Osborn, W. Melitz, S. Lee, A. Delabie, S. Sioncke, M. Caymax, G. Pourtois and A. Kummel, J. Chem. Phys., 135, 054705 (2011).
DOI
|
13 |
T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, Appl. Phys. Exp., 1, 051406 (2008).
DOI
|
14 |
C. Lin, Y. Chen, C. Lee, H. Chang, W. Chang, H. Chang and C. Liu, J. Electrochem. Soc., 158, H128 (2011).
DOI
|
15 |
S. Swaminathan, Y. Oshima, M. Kelly and P. McIntyre, Appl. Phys. Lett., 95, 032907 (2009).
DOI
|
16 |
S. Zheng, W. Yang, Q. Sun, L. Chen, P. Zhou, P. Wang, D. Zhang and F. Xiao, Appl. Phys. Lett., 103, 261602 (2013).
DOI
|
17 |
D. Chi, R. Lee, S. Chua, S. Lee, S. Ashok and D. Kwong, J. Appl. Phys., 97, 113706 (2005).
DOI
|
18 |
H. Liu, P. Wang, D. Qi, X. Li, X. Han, C. Wang, S. Chen, C. Li and W. Huang, Appl. Phys. Lett., 105, 192103 (2014).
DOI
|
19 |
H. Von Wenckstern, S. Muller, G. Giehne, H. Hochmuth, M. Lorenz and, M. Grundmann, J. Electron. Mater., 39, 559 (2010).
DOI
|
20 |
H. Kim, A. Sohn and D. Kim, Semicond. Sci. Technol., 27, 035010 (2012).
DOI
|
21 |
O. Pakma, N. Serin, T. Serin and S. Altlndal, Semicond. Sci. Technol., 23, 105014 (2008).
DOI
|
22 |
J. Osvald and Zs. J. Horvath, Appl. Surf. Sci., 234, 349 (2004).
DOI
|
23 |
R. Tung, Mater. Sci. Eng., R 35, 1 (2001).
|
24 |
R. Garg, D. Misra and P. Swain, J. Electrochem. Soc., 153, F29 (2006).
DOI
|
25 |
J. Robertson and R. Wallace, Mater. Sci. Eng., R 88, 1 (2015).
DOI
|
26 |
S. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, (1981).
|
27 |
J. Gu, Y. Liu, M. Xu, G. Celler, R. Gordon and P. Ye, Appl. Phys. Lett., 97, 012106 (2010).
DOI
|