1 |
G. Kenugapal and S.-J. Kim, Current Appl. Phys., 11, S381 (2011).
DOI
|
2 |
S. Akasaka, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, A. Kamisawa and M. Kawasaki1, Appl. Phys. Lett., 93, 123309 (2008).
DOI
|
3 |
S. B. Sim, M. C. Lee and D. S. Bae, Korean J. Mater. Res., 25, 683 (2015).
DOI
|
4 |
S. W. Tsao, T. C. Chang, S. Y. Huang, M. C. Chen, S. C. Chen, C. T. Tsai, Y. J. Kuo, Y. C. Chen and W. C. Wub, Solid-State Electronics, 54, 1497 (2010).
DOI
|
5 |
D. W. Jeong, J. J. Kim and J. O Lee, J. Korean Phys. Soc., 59, 3133 (2011).
DOI
|
6 |
W.-T. Chen, S.-Y. Lo, S.-C. Kao, H.-W. Zan, C.-C. Tsai, J.-H. Lin, C.-H. Fang, and C.-C. Lee, IEEE Electron. Dev. Lett., 32, 1552 (2011).
DOI
|
7 |
J. S. Lee, Y. J. Kwack and W. S. Choi, J. Korean Phys. Soc., 59, 3305 (2011).
|
8 |
D. Cha, S. Lee, J. Jung and I. An, J. Korean Phys. Soc., 56, 846 (2010).
DOI
|
9 |
J. Maserjian, J. Vac. Sci. Technol., 11, 996 (1974).
DOI
|
10 |
K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 93, 192107 (2008).
DOI
|
11 |
O. Mitrofanov and M. Mantra, J. Appl. Phys., 95, 6414 (2004).
DOI
|
12 |
M. E. Lopes, H. L. Gomes, M. C. R. Medeiros, P. Barquinha, L. Pereira, E. Fortunato, R. Martins and I. Ferreira, Appl. Phys. Lett., 95, 063502 (2009).
DOI
|
13 |
T. Oh and C. K. Choi, J. Korean Phys. Soc., 56, 1150 (2010).
DOI
|
14 |
Y. Y. Peng, T. E. Hsieh and C. H. Hsu, Nanotechnology, 17, 174 (2006).
DOI
|
15 |
T. Oh, Korean J. Mater. Res., 24, 135 (2014).
DOI
|
16 |
J. Heo, H. J. Kim, J. H. Han and J. W. Shon. Thin Solid Films, 515, 5035 (2007).
DOI
|
17 |
T. Oh, Korean J. Mater. Res., 25, 1149 (2015).
|
18 |
B. J. Choi, Korean J. Mater. Res., 25, 429 (2015).
DOI
|
19 |
J. Maserjian and N. Zamani, Appl. Phys. Lett., 53, 559 (1982).
|