1 |
J. C. Reiner, P. Gasser and U. Sennhauser, Microelectron. Reliab., 42, 1753 (2002).
DOI
ScienceOn
|
2 |
S. H. Lim and D. Shindo, Phys. Rev. Lett., 86, 3795 (2001).
DOI
ScienceOn
|
3 |
S. H. Lim, D. Shindo, I. Yonenaga, P. D. Brown and C. J. Humphreys, Phys. Rev. Lett., 81, 5350 (1998).
DOI
ScienceOn
|
4 |
H. O. Kim, W. J. Kim, K. H. Lee and S. I. Hong, Kor. J. Mater. Res., 17(8), 408 (2007). (in Korean)
DOI
ScienceOn
|
5 |
H. Yamagishi, I. Fusegawa, N. Fujimaki and M. Katayama, Semicond. Sci. Tech., 7, A135 (1992).
DOI
ScienceOn
|
6 |
S. Mahajan, Progr. Mater. Sci., 33, 1 (1989).
DOI
ScienceOn
|
7 |
M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda and Y. Kitagawara, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 5597 (1996).
DOI
|
8 |
M. Itsumi and F. Kiyosumi, Appl. Phys. Lett., 40, 496 (1982).
DOI
|
9 |
M. Itsumi, M. Tomita and M. Yamawaki, J. Appl. Phys., 78, 1940 (1995).
DOI
ScienceOn
|
10 |
J. Ryuta, E. Morita, T. Tanaka and Y. Shimanuki, Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1947 (1990).
DOI
|
11 |
K. Nakai, M. Hasebe, K. Ohta and W. Ohashi, J. Cryst. Growth, 210, 20 (2000).
DOI
ScienceOn
|
12 |
S. Mendelson, J. Appl. Phys., 35, 1570 (1964).
DOI
|
13 |
J. A. Rossi, W. Dyson, L. G. Hellwing and T. M. Hanley, J. Appl. Phys., 58, 1798 (1985).
DOI
|
14 |
N. Munter, B. O. Kolbesen, W. Storm and T. Muller, J. Electrochem. Soc., 150, G192 (2003).
DOI
ScienceOn
|
15 |
M. Iwabuchi, K. Mizushima, M. Mizuno and Y. Kitagawara, J. Electrochem. Soc., 147, 1199 (2000).
DOI
ScienceOn
|
16 |
F. Altmann and D. Katzer, Thin Solid Films, 343-344, 609 (1999).
DOI
ScienceOn
|
17 |
K. Minowa, K. Takeda, S. Tomimatsu and K. Umemura, J. Cryst. Growth, 210, 15 (2000).
DOI
ScienceOn
|