1 |
M. A. Pawlak, J. A. Kittl, and O. Chamirian, Microelect. Eng., 76(1-4), 349 (2004)
DOI
ScienceOn
|
2 |
D. M. Wood and A. Zunger, J. Phys. A, 1343 (1985)
DOI
ScienceOn
|
3 |
J. Foggiato, W. S. Yoo, M. Ouaknine, T. Murakami, and T. Fukada, Mat. Sci. Eng., 114-115, 56 (2004)
DOI
ScienceOn
|
4 |
M. Kh. Rabadanov and M. B. Ataev, Inorg. Mat., 38(2), 120 (2002)
DOI
|
5 |
C. Lavoie, F. M. d'Heurle, C. Detavemier, and C. Cabral Jr., Microelect. Eng., 70(2-4), 144 (2003)
DOI
ScienceOn
|
6 |
J. A. Kittl, A. Lauwers, O. Chamirian, M. Van Dal, A. Akheyar, M. De Potter, R. Lindsay, and K. Maex, Microelect. Eng., 70(2-4), 158 (2003)
DOI
ScienceOn
|
7 |
B. Cafra, A. Alberti, and L. Ottaviano, Mat. Sci. Eng., 114-115, 228 ( 2004)
DOI
ScienceOn
|
8 |
S. H. Cheong, O. S. Song, and M. S. Kim, Met. Mat. Int., 12(2), 189 (2006)
DOI
ScienceOn
|
9 |
G. Kresse and J. Joubert, Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
DOI
ScienceOn
|
10 |
P. Pulay, Chem. Phys. Lett., 73, 393 (1980)
DOI
ScienceOn
|
11 |
K. J. Han, Y. J. Cho, Y. C. Kim, S. Y. Oh, Y. J. Kim, W. J. Lee, and H. D. Lee, J. Semicon. & Display Equip. Technol., 4(2), 7 (2005)
|