1 |
N. S. Saks, P. L. Heremans, L. Van den Hove, H. E. Maes, R. F. DeKeersmaecker and G. J. Declerck, IEEE Trans. Electron Device, ED-33(10), 1529-1534 (1986)
DOI
ScienceOn
|
2 |
C. Liu, Y. Y. Fan, M. Liu, H. T. Cong, H. M. Cheng and M. S. Desselhaus, Science, 286, 1127 (1999)
DOI
ScienceOn
|
3 |
S. J. Tans, R. Alwin, M. Verschueren and C. Dekker, Nature, 393, 49 (1998)
DOI
|
4 |
P. L. McEuen, Nature, 393, 15 (1998)
DOI
|
5 |
P. G. Collins, M. S. Arnold and P. Avouris, Science, 292, 706 (2001)
DOI
ScienceOn
|
6 |
J. H. Hafner, C. L. Cheung and C. M. Lieber, Nature, 398, 761 (1999)
DOI
ScienceOn
|
7 |
P. Poncharal, Z. L. Wang, D. Ugarte and W. A. de Heer, Science, 283, 1513 (1999)
DOI
ScienceOn
|
8 |
W. B. Downs and R. T. K Baker, J. Mater. Res., 10(3), 625-633 (1995)
DOI
|
9 |
A. L. Cara and D. L. Trimm, Carbon, 16(6), 505-506 (1978)
DOI
ScienceOn
|
10 |
H. Yumoto, R. R. Hasiguti and T. Watanabe, J. Crystal growth, 87(1), 1 (1988)
DOI
ScienceOn
|
11 |
D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, Kor. J. Mater. Res., 13(10), 677 (2003)
DOI
ScienceOn
|
12 |
Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang, L. F. Sun, W. Y. Zhou and G. Wang, Chem. Phys. Lett., 299(1), 97 (1999)
DOI
ScienceOn
|
13 |
C. J. Lee and J. Park, Appl. Phys. Lett., 77(21), 3397 (2000)
DOI
ScienceOn
|
14 |
R. T. K. Baker, Carbon, 27, 315 (1989)
DOI
ScienceOn
|
15 |
C. J. Lee and J. Park, J. Phys. Chem. B, 105(12), 2367 (2001)
DOI
ScienceOn
|