1 |
W. H. Lee, B. S. Seo, I. J. Byun, Y. G. Ko, J. Y. Kim, J. G. Lee and E. G. Lee, J. Korea Phys. Soc., 107, (2002)
|
2 |
S. L. Cohen, M. Liehr and S. Kasi, Appl. Phys. Lett., 60, 1585 (1992)
DOI
|
3 |
A. L. Cabrera, J. Vac. Sci. Technol., A8, 3229 (1990)
DOI
|
4 |
P. Martensson and J. O. Carlsson, J. Electrochem. Soc., 145, 2926 (1998)
DOI
|
5 |
M. Juppo, M. Vehkamaki, M. Ritala and M. Leskela, J. Vac. Sci. Technol. A16 2845 (1998)
DOI
ScienceOn
|
6 |
R. Solanki and B. Pathangey, Elctrochem. Solid-State Lett., 3, 479 (2000)
DOI
ScienceOn
|
7 |
B. S. Lim, A. Rahtu and R. G. Gordon, Nature Materials, 2, 749 (2003)
DOI
ScienceOn
|
8 |
K. Kim and K. Yong, Electrochem. Solid-State Lett., 6, 106 (2003)
DOI
ScienceOn
|
9 |
W. H. Lee, Y. K. Ko, I. J. Byun, B. S. Seo, J. G. Lee, P. J. Reucroft, J. U. Lee and J. Y. Lee, J. Vac. Sci. Technol., A. 19(6), 2974 (2001)
DOI
ScienceOn
|
10 |
C-K. Hu, L. Gignac, S. G. Malhotra and R. Rosenberg, Appl. Phys. Lett., 78, 904 (2001)
DOI
ScienceOn
|
11 |
A. F. Burnett and J. M. Chech, J. Vac. Sci. Technol., A11, 2970 (1993)
DOI
ScienceOn
|
12 |
M. Juppo, M. Ritala and M. Leskela, J. Vac. Sci. Technol. A15 2330 (1997)
DOI
ScienceOn
|
13 |
P. Martensson and J. O. Carlsson, Chem. Vap. Deposition, 3, 45 (1997)
DOI
|
14 |
P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. Dukovic, J. Horkans and H. Deligianni, IBM J. Res. Dev., 42, 567 (1998)
DOI
|
15 |
Y. J. Park, V. K. Andleigh and C. V. Thompson, J. Appl. Phys., 85, 3546 (1999)
DOI
ScienceOn
|
16 |
C. Whitman, M. M. Moslehi, A. Paranjpe, L. Velo and T. Omstead, J. Vac. Sci. Technol., A17, 1893 (1999)
DOI
|
17 |
V. M. Dubin, et al, Proc. of the 1998 Advanced Metallization Conference for ULSI Applications, 405 1998
|
18 |
A. Jain, T. Kodas, R. Jairath and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993)
DOI
ScienceOn
|
19 |
S. P. Murarka and S. Hymes, Solid State Mater. Sci., 20, 87 (1995)
DOI
ScienceOn
|
20 |
N. Awaya and Y. Arita, J. Elctron. Mater., 21, 959 (1992)
DOI
|
21 |
J. Lin and M. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 4863 (1999)
DOI
|
22 |
D. Edelstein, et al, 1997 IEEE Int. Electron Devices Meet. Digest, 773 (1997)
DOI
|