1 |
The International Technology RoadMap For Semiconductor, Front End Process, p. 25, SIA, 2003 Edition (2003)
|
2 |
S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith and G. E. Seebauer and D. E. Batchelor, J. Electrochem. Soc., 146, 4240 (1999)
DOI
|
3 |
J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices, 38(2), 262 (1991)
DOI
ScienceOn
|
4 |
R. T. Tung, MRS Symp. Proc., 427, 481 (1996)
DOI
|
5 |
M. L. A. Dass, D. B. Fraser and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett., 58(12), 1308 (1991)
DOI
|
6 |
S. P. Murarka, J. Electrochem. Soc., 129, 293 (1982)
DOI
|
7 |
S. H. Cheong and O. S. Song, Korean J. Mater. Res., 15(5), 279 (2003)
과학기술학회마을
DOI
|
8 |
G. B. Kim and H. K. Baik, Appl. Phys. Lett., 69(23), 3498 (1996)
DOI
ScienceOn
|
9 |
D. B. Williams and C. Barry Carter, Transmission electron microscopy: a textbook for materials secience, p.155, Plenum Press, New York, (1996)
|
10 |
A. Lauwers, A. Steegen, M. de-Potter, R. Lindsay, A. Satta, H. Bender and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B., 19(6), 2026 (2001)
DOI
ScienceOn
|
11 |
M. Y. Wang, C. W. Chang, C. M. Wu, C. T. Lin, C. H. Hsieh, W. S. Shue, M. S. Liang, VLSI Technology Digest, 157, (2003)
|
12 |
S. L. Hsia, T. Y Tan, P. Smith and G. E. McGuire, J. Appl. Phys., 88, 133 (2000)
DOI
ScienceOn
|
13 |
M. Garcia-Mendez, M. H. Farias, D. H. Galvan-Martinez, A. Posada-Amarillas and G. Beamson, Surface Science, 532-535, 952, (2003)
DOI
ScienceOn
|
14 |
J. Y. Dai, Z. R. Guo, S. F. Tee, C. L. Tay, Eddie Er and S. Redkar, Appl. Phys. Lett., 78(20), 3091 (2001)
DOI
ScienceOn
|
15 |
J. Prokop, C. E. Zybill and S. Veprek, Thin Solid Films, 359, 39 (2000)
DOI
ScienceOn
|