A Comparative Study on the Precursors for the Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride Thin Films |
Lee Won-Jun
(세종대학교 신소재공학과)
Lee Joo-Hyeon (한국과학기술원 재료공학과) Lee Yeon-Seong (한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부) Rha Sa-Kyun (한밭대학교 재료공학과) Park Chong-Ook (한국과학기술원 재료공학과) |
1 | V. I. Belyi, L. L. Vasilyeva, A. S. Ginovker, V. A. Gritsenko, S. M. Repinsky, S. P. Sinitsa, T. P. Smirnova and F. L. Edelman, Silicon Nitride in Electronics, p. 99, Elsevier Science Publishers B. V., Amsterdam, Netherlands, (1988) |
2 | M. Pessa, R. Makela and T. Suntola, Appl. Phys. Lett., 38, 131 (1981) DOI |
3 | J. D. Plummer, M. D. Deal and P.B. Griffin, Silicon VLSI Technology, ch. 2, Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey, USA (2000) |
4 | J. E. Park, J. H. Ku, J. W. Lee, J. H. Yang, K. S. Chu, S. H. Lee, M. H. Park, N. I. Lee, H. K. Kang and K. P. Suh, in Proceedings of the 10th Korean Conference on Semiconductors (Seoul, Korea, February 2003) p. 137 |
5 | H. Goto, K. Shibahara and S. Yokoyama, Appl. Phys. Lett., 68, 3257 (1996) DOI ScienceOn |
6 | S. Morishita, S. Sugahara and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci., 112, 198 (1997) DOI ScienceOn |
7 | J. W. Klaus, A. W. Ott, A. C. Dillon and S. M. George, Surf. Sci., 418, L14 (1998) DOI ScienceOn |