The Evolution of Preferred Orientation and Morphology of NiO Thin Films under Variation of Plasma gas and RF Sputtering Power |
Ryu Hyun-Wook
(조선대학교 에너지자원신기술 연구소)
Choi Gwang-Ryo (조선대학교 에너지자원신기술 연구소) Noh Whyo-Sup (조선대학교 신소재 공학과) Park Yong-Ju (조선대학교 신소재 공학과) Kwon Yong (조선대학교 신소재 공학과) Park Jin-Seong (조선대학교 신소재 공학과) |
1 | A. J. Varkey and A. F. Fort, Thin Solid Films, 235, 47 (1993) DOI ScienceOn |
2 | D. R. James, Optical thin films, p.28, SPIE, Washington, (1987) |
3 | H. F. Winters and P. Sigmund, J. Appl. Phys., 45, 4760 (1974) DOI ScienceOn |
4 | D. L. Schulz, P. A. Parilla, H. Gopalaswamy, A. Swartzlander, A. Duda, R. D. Blaugher and D. S. Ginley, Mater. Res. Bull., 30, 689 (1995) DOI ScienceOn |
5 | Y. M. Lu, W. S. Hwang and J. S. Yang, Surface and Coatings Technology, 155, 231 (2002) DOI ScienceOn |
6 | P. Lunkenheimer, A. Loidl, C. R. Ottermann and K. Bange, Phys. Rev., B, 44, 5927 (1991) DOI ScienceOn |
7 | E. Fujii, A. Tomazawa, S. Fujii, H. Torii, M, Hattori and R. Takayama, Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1448 (1993) DOI ScienceOn |
8 | P. Puspharajah, S. Radhakrishna and A. K. Arof, J. Mater. Sci., 32, 3001 (1997) DOI |
9 | Y. Tasaka, H. Kuroda, M. Tanaka and S. Usami, Thin Solid Films, 281-282, 441 (1996) DOI ScienceOn |
10 | A. B. Berzin, C. W. Yuan and A. L. De lozanne, Appl. Phys. Lett., 57, 90 (1990) DOI |
11 | S. S. Lee, D. G. Hwang, C. M. Park, K. A. Lee, M. Y. Kim and J. R. Rhee, IEEE Trans. Magn., 32, 3416 (1996) DOI ScienceOn |
12 | S. S. Lee, D. G. Hwang, C. M. Park, K. A. Lee and J. R. Rhee, J. Appl. Phys., 81, 5298 (1997) DOI ScienceOn |
13 | C. Lai, T. J. Regan, R. L. White and T. C. Anthony, J. Appl. Phys., 81, 3989 (1997) DOI ScienceOn |
14 | C. Lai, H. Matsuyama, R. L. White and T. C. Anthony, IEEE Trans. Magn., 31, 2609 (1995) DOI ScienceOn |
15 | D. H. Han, J. G. Zhu and J. H. Judy, J. Appl. Phys., 81, 4996 (1997) DOI ScienceOn |
16 | C. Lai, W. E. Bailey, R. L. White and T. C. Anthony, J. Appl. Phys., 81 4990 (1997) DOI ScienceOn |
17 | H. Sato, T. Minami, S. Takata and T. Yamada, Thin Solid Films, 236, 27 (1993) DOI ScienceOn |
18 | R. Nakatani, K. Hoshino, H. Hoshiya and Y. Sugita, Mater. Trans. JIM, 37, 1710 (1996) DOI |
19 | K. Yoshimura, T. Mikim and S. Tanemura, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 2440 (1995) DOI |
20 | Y. Sato, S. Tamura and K. Murai, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 6275 (1996) DOI |
21 | E. L. miller and R. E. Rocheleau, J. Electrochem. Soc., 144, 1995 (1997) DOI |
22 | H. Kumagai, M. Matsumoto, K. Toyoda and M. Obara, J. Mater. Sci. Lett., 15, 1081 (1996) DOI |
23 | T. C. Anthony, J. A. Brug and S. Zhang, IEEE Trans. Magn., 30, 3819 (1994) DOI ScienceOn |
24 | Z. M. Jarzebski, Oxide Semiconductors, pp. 53-139, Pergamon Press, Oxford, England, (1973) |
25 | C. A. Vincent, F. Bonino, M. Lazzari and B. Scrosati, Modern Batteries, pp. 34-36, Edward Arnold, London, England, (1987) |
26 | T. Maruyama and S. Arai, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 30, 257 (1993) DOI ScienceOn |
27 | S. Yamada, T. Yoshioka, M. Miyashita, K. Urabe and M. Kitao, J. Appl. Phys., 63, 2116 (1988) DOI |
28 | J. Scarminio, A. Urbano, B. J. Grades and A. Gorenstein, J. Mater. Sci. Lett., 11, 562 (1992) DOI |