1 |
M. L. A. Dass, D. B. Fraser and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett., 58(12), 1308 (1991)
DOI
|
2 |
S. P. Muraka, J. Electrochem. Soc., 129, 293 (1982)
DOI
|
3 |
S. H. Cheong and O. S. Song, Korean J. Mater. Res., 13(2), 88 (2003)
DOI
ScienceOn
|
4 |
G. B. Kim and H. K. Baik, Appl. Phys. Lett., 69, 3498 (1996)
DOI
ScienceOn
|
5 |
Y. S. Jung, S. H. Cheong and O. S. Song, Korean J. Mater. Res., 14(6), 389 (2004)
DOI
ScienceOn
|
6 |
H. Fang, M. C. Oztu, E.G. Seebauer, and D. E. Batchelor, J. Electrochem. Soc., 146(11), 4240 (1999)
DOI
|
7 |
J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices, 38(2), 262 (1991)
DOI
ScienceOn
|
8 |
R. T. Tung, MRS Symp. Proc., 427, 481 (1996)
DOI
|
9 |
J. Lutze, G. Scott and M. Manley, IEEE Electron Device Lett., 21(4), 155 (2000)
DOI
ScienceOn
|
10 |
J. Prokop, C. E. Zybill and S. Veprek, Thin Solid Films, 359, 39 (2000)
DOI
ScienceOn
|
11 |
C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, H. Bender and S. Zhu, J. Appl. Phys., 88(1), 133 (2000)
DOI
ScienceOn
|
12 |
Semiconductor Industry Association(SIA), the International technology roadmap for semiconductors, (2001)
|
13 |
P. B. Zantye, A. Kuman and A. K. Sikder, Mater. Sci. Eng, R45, 89 (2004)
|
14 |
J. Y. Dai, Z. R. Guo, S. F. Tee, C. L. Tay, Eddie Er and S. Redkar, Appl. Phys. Lett., 78(20), 3091 (2001)
DOI
ScienceOn
|
15 |
S. Nagasaki and M. Hirabayasi, Binary phase diagrams, Tokyo, Agne Technology Center, p. 111 (2001)
|