1 |
W. S. Yang, S. J. Yeom, N. K. Kim, S. Y. Kweon and J. S. Roh, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 39, 5465 (2000)
DOI
|
2 |
S. H. Oh, S. K. Hong, K. H. Noh, S. Y. Kweon, N. K. Kim, Y. H. Yang, J. G. Kim, J. Y. Seong, I. W. Jang, S. H. Park, K. H. Bang, K. N. Lee, H. J. Jung, J. H. Son, S. S. Lee, E. S. Choi, H. J. Sun, S. J. Yeom, K. D. Ban, J. W. Park, G. D. Park, S. Y. Song, J. H. Shin, S. I. Lee and Y. J. Park, IEEE International Electron Device Meeting 2003 (IEDM 2003), December 8-10, (2003) Washington, D. C., USA
|
3 |
W. W. Jung, S. K. Choi, S. Y. Kweon and S. J. Yeom, Appl. Phys. Lett., 83, 2160 (2003)
DOI
|
4 |
H. J. Sun, E. S. Choi, T. K. Lee, T. E. Hong, J. M. Yang, S. Y. Kweon, N. K. Kim, S. J. Yeom, J. S. Roh, H. C. Sohn and J. W. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 43, 2651 (2004)
DOI
|
5 |
Chin-An Chang, J. Appl. Physics, 52, 4620 (1987)
DOI
ScienceOn
|
6 |
Chin-An Chang, J. Appl. Physics, 61, 1864 (1987)
DOI
|
7 |
E. G. Colgan, J. Appl. Physics, 62, 1224 (1987)
DOI
|
8 |
S. Y. Kweon, S. J. Yeom, S. K. Lee, Y. S. Yu, D. S. Pyun and C. T. Kim, Integrated Ferroelectrics, 31, 251 (2000)
DOI
ScienceOn
|
9 |
P. Gas, J. Labar, G. Clugnet, A. Kovacs, C. Bergman and P. Barna, J. Appl. Physics, 90, 3899 (2001)
DOI
ScienceOn
|
10 |
J. Labor and P. Gas, J. Appl. Physics, 90, 6545 (2001)
DOI
ScienceOn
|
11 |
S. Y. Kweon, S. J. Yeom, H. J. Sun, N. K. Kim, Y. S. Yu and S. K. Lee, Integrated Ferroelectrics, 25, 299 (1999)
|
12 |
B. Yang, Y. M. Kang, S. S. Lee, K. H. Noh, S. W. Lee, N. K. Kim, S. Y. Kweon, S. J. Yeom and Y. J. Park, IEEE Electron Device Lett., 23, 743 (2002)
DOI
ScienceOn
|
13 |
S. Y. Kweon, N. K. Kim, E. S. Choi, S. J. Yeom, J. S. Roh and Y. J. Park, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 41, 7327 (2002)
DOI
|