1 |
S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Sringer, Berlin, 1997
|
2 |
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, H. Kiyoko and Y. Sukimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L217 (1996)
DOI
ScienceOn
|
3 |
S. C. Binari and H. C. Dietrich, in 'GaN and Related Materials', edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997). pp. 509-534
|
4 |
J. E. Northrup and L. T. Romano, in 'Gallium Nitride and Related Semiconductors', edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, Stevenage, U.K., 1999), Vol. 23, Chap. A7.2, pp. 213-220
|
5 |
Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
DOI
ScienceOn
|
6 |
S. Tomiya, K. Funato, T. Asatsuma, T. Hino, S. Kijima, T. Asano and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett., 77, 636 (2000)
DOI
|
7 |
S. Yu. Karpov, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 16 (1998)
DOI
|
8 |
C. I. H. Ashby, C. C. Mitchell, J. Han, N. A. Missert, P. P. Provencio, D. M. Follstaedt, G. M. Peake and L. Griego, Appl. Phys. Lett., 77, 3233 (2000)
DOI
ScienceOn
|
9 |
P. H. Chang, M. D. Coviello and A. F. Scott, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 115, 93 1988)
|
10 |
J. P. Benedict, R. M. Anerson and S. J. Klepeis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 523, 19 (1998)
|
11 |
Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
DOI
|