1 |
J. Prokop, C. E. Zybill and S. Veprek, Thin Solid Films, 359, 39 (2000)
DOI
ScienceOn
|
2 |
J. Y. Dai, Z. R. Guo, S. F. Tee, C. L. Tay, E. Er and S. Redkar, Appl. Phys. Lett., 78, 3091 (2001)
DOI
ScienceOn
|
3 |
C. Detavemier, R. L. Van Meirhaeghe and F. Cardon, J. Appl. Phys., 88, 133 (2000)
DOI
ScienceOn
|
4 |
S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith and G. E. McGuire, J. Appl. Phys., 70, 1308 (1991)
DOI
|
5 |
H. S. Kim, D. H. Ko, D. L. Bae, K. Fujihara and H. K. Kang, IEEE Electron Device Lett., 20, 86 (1999)
DOI
ScienceOn
|
6 |
R. T. Tung, Applied Surface Science, 117/118, 268 (1997)
DOI
ScienceOn
|
7 |
J. Chen, J. P. Colinge, D. Flandre, R. Gillon, J. P. Raskin and D. Vanhoenacker, J. Electrochem. Soc., 144, 2437 (1997)
DOI
|
8 |
H. Zhang, J. Poole, R. Eller and M. Keefe, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 1904 (1999)
DOI
|
9 |
J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices, 38, 262 (1991)
DOI
ScienceOn
|
10 |
O. S. Song and Y. S. Ahn, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 32, 389 (1999)
|
11 |
P. Gas, O. Thomas and F. M. d'Heurle, Properties of Metal Silicides, p. 298, 14, ed. K. Maex and M.V.Rossum, INSPEC, London UK, (1995)
|
12 |
H. C. Cheng, W. K. Lai and H. W. Liu, J. Electrochem. Soc., 145, 3590 (1998)
DOI
ScienceOn
|
13 |
M. L. A. Dass, D. B. Fraser and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett., 58, 1308 (1991)
DOI
|
14 |
T. Sukegawa, H. Tomita, A. Fushida, K. Goto, S. Komiya and T. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 36, 6244 (1997)
DOI
|
15 |
D. Mangelinck, J. Cardenas, F. M. d'Heurle, B. G. Svensson and P. Gas, J. Appl. Phys., 86, 4908 (1999)
DOI
|
16 |
A. Lauwers, Q. F. Wang, B. Deweerdt and K. Maex, Applied Surface Science, 91, 12 (1995)
DOI
ScienceOn
|