Optical and Structural Properties of GaN Grown on AlN/Si via Molecular Beam Epitaxy Using Ammonia |
Kim, Gyeong-Hyeon
(충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터)
Hong, Seong-Ui (한국전자통신연구원 광저장소자팀) Gang, Seok-Jun (충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터) Lee, Sang-Hyeon (충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터) Kim, Chang-Su (한국표준연구원 재료평가센터) Kim, Do-Jin (충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터) Han, Gi-Pyeong (한국전자통신연구원 광저장소자팀) Baek, Mun-Cheol (한국전자통신연구원 광저장소자팀) |
1 | T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1992) DOI ScienceOn |
2 | A. Watanabe, T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993) DOI ScienceOn |
3 | S. Guha and N. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998) DOI ScienceOn |
4 | S.A. Nikinshin, N.N. Faleev., V.G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G.A. Seryogin, M. Holtz, and S.N.G. Chu, Appl. Phys.Lett. 75, 2073 (1999) DOI |
5 | Y. Nakada, I. Aksenov, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 73, 827 (1998) DOI ScienceOn |