In this work, transmission characteristics of read and write signal were calculated when a MRAM (magnetic random access memory) cell is operated up to 10 GHz. Test device having long read and write lines was modeled in 3 dimensions to perform a simulation. The simulation was divided into two parts, read and write operations, and S-parameters were computed utilizing FEM (finite element method) algorithm. Transmission coefficients, S21/, for read and write operations of MRAM device which was designed for a single cell test configuration were analyzed from DC to 1 GHz and DC to 10 GHz, respectively. When the insulator thickness between the bit and sense lines was increased from 500 to 1500 , 3 dB attenuation frequency was increased by 3.3 times, from 135 to 430 MHz. The length of the bit and sense lines were 600 m. In addition, access time was estimated by calculating the propagation delay utilizing S-parameters.
본 연구에서는 MRAM(magnetic random access memory)이 10 GHz까지 높은 주파수에서 동작할 때 쓰기 신호와 읽기 신호가 얼마나 효율적으로 전달되는지 계산하였다. 이를 위해 읽기와 쓰기에 필요한 도선이 있는 시편을 3차원으로 모델링하였다. 모의실험은 쓰기 동작과 읽기 동작으로 나눠서 수행되었고, FEM(finite element method) 알고리즘을 이용하여 S-parameter를 출력하였다. 계산된 결과를 이용하여 실험적으로 설계된 MRAM 시편의 쓰기와 읽기 동작에서 전송계수 S을 각각 DC에서 1 GHz 그리고 100 GHz 까지의 영역에서 해석하였다. 또한 각각의 길이가 600 m인 bit line과 sense line사이의 절연체 두께를 500에서 1500으로 변화시켰을 때, 3 dB 감쇄 주파수를 135에서 430 MHz까지 약 3.3배 높일 수 있었다. 그리고 계산된 S-parameter를 이용하여 전달 지연을 계산하여 접근시간을 예측하였다.
Keywords
MRAM; TMR; access time; S-parameter;
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