1 |
A. J. Heeger and J. Long Jr., Opt. Photon. News, 7, 23 (1996)
|
2 |
T. Serikawa and F. Ornata, IEEE Electr. Device L., 20, 574 (1999)
|
3 |
T. Afentakis, M. Gatalis, A. T. Voutsas, and J. Hartzell, IEEE T. Electron. Dev., 53, 815 (2006)
DOI
ScienceOn
|
4 |
C. C. Wu, S. D. Theiss, G. Gu, M. H. Lu, J. C. Strum, S. Wagner, and S. R. Forrest, IEEE Electr. Device L., 18, 609 (1997)
|
5 |
D. Jin, J. Jeong, H. Shin, M. Kim, T. Ahn, S. Kwon, J. Kwack, T. Kim, Y. Mo, and H. Chung, SID 06 DIGEST, 1855 (2006)
|
6 |
J. Chang, J. Wu, C. Huang, Y. Chen, L. Wang, Y. Luo, I. Peng, T. Wong, M. Wang, and J. Chang, Euro Display, 133 (2005)
|
7 |
F. Templier, B. Aventurier, M. Moreau, A. Mortillaro, R. Ternplier, and A. Passero, EuroDisplay, 414 (2005)
|
8 |
A. Sellinger and R. M. Laine, Chem. Mater., 8, 1592 (1996)
|
9 |
R. Schwodiauer, G. S. Neugschwandtner, S. Bauer-Gogonea, and S. Bauer, Appl. Phys. Lett., 75, 3998 (1999)
|
10 |
R. Sehwodiauer, G. S. Neugschwandtner, S. Bauer-Gogonea, and S. Bauer, Appl. Phys. Lett., 76, 2612 (2000)
|
11 |
A. Chwang, R. Hewitt, K. Urbanik, J. Silvernail, K. Raian, and M. Hack, SID 06 DIGEST, 1858 (2006)
|
12 |
G. Gustafsson, Y. Cao, G. M. Treacy, F. Klavetter, N. Colaneri, and A. J. Heeger, Nature, 357,477 (1992)
|
13 |
G. Gu, P. E. Burrows, S. Venkatesh, and S. R. Forrest, Opt. Lett., 22, 172 (1992)
|
14 |
T. Chang, T. Chang, P. Liu, T. Chang, and F. Yeh, Thin Solids Films, 498, 70 (2006)
DOI
|
15 |
M. Wu, K. Pangal, J. C. Sturm, and S. Wagner, Appl. Phys. Lett., 75, 2244 (1999)
|
16 |
Z. Suo, E. Y. Ma, H. Gleskova, and S. Wagner, Appl. Phys. Lett., 74, 1177 (1999)
|
17 |
J. Choi, J. Hareup, A. F. Yee, Q. Zhu, and R. M. Laine, J. Am. Chem. Soc., 123,11420 (2001)
DOI
ScienceOn
|
18 |
S. D. Theiss and S. Wagner, IEEE Electr. Device L., 17, 578 (1996)
|
19 |
M. Wu, X. Bo, J. C. Sturm, and S. Wagner, IEEE T. Electron. Dev., 49, 1993 (2002)
|
20 |
J. Cheon, J. Choi, J. Hun, and J. Jang, IEEE T. Electron. Dev., 53, 1273 (2006)
DOI
ScienceOn
|
21 |
A. Boudefel and P. Gonon, J. Mater. Sci: Mater. Electron., 17, 205 (2006)
DOI
ScienceOn
|
22 |
C. Maddalon, K. Barla, E. Denis, E. Lous, E. Perrin, S. Lis, C. Lair, and E. Dehan, Microelectron. Eng., 50, 33 (2000)
|
23 |
P. Liu, T. Chang, M. Huang, Y. Yang, Y. Mor, M. S. Tsai, H. Chung, J. Hou, and S. M. Sze, J. Electrochem. Soc., 147, 4313 (2000)
|
24 |
L. Zong, S. Zhou, N. Sgriccia, and M. C. Hawley, Polym. Eng. Sci, 45, 1576 (2005)
DOI
ScienceOn
|
25 |
D. M. Mofatt, MRS Bulletin, 21, 31 (1996)
|
26 |
P. M. Smith, P. G. Carey, and T. W. Sigmon, Appl. Phys. Lett., 70, 342 (1997)
|
27 |
T. Chang, P. Liu, T. Tasi, F. Yeh, T. Tseng, M. Tsai, B. Chen, Y. Yang, and S. Sze, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 3143 (2001)
DOI
|
28 |
H. Lee, C. L. Soles, D. W. Liu, B. J. Bauer, E. K. Lin, and W. L. Wu, J. Appl. Phys., 95, 2355 (2004)
DOI
ScienceOn
|
29 |
R. S. Howell, M. Stewart, S. V. Karnik, S. K. Saha, and M. Hatalis, IEEE Electr. Device L., 21, 70 (2000)
|