1 |
J. Lee and D. Lee, J. Korean Phys. Soc. 58, 239 (2011).
DOI
|
2 |
E. T. Kim, Z. Chen, and A. Madhukar, J. Korean Phys. Soc. 49, S837 (2006).
|
3 |
R. P. Smith, Im S. Han, and Jong S. Kim, J. Korean Phys. Soc. 64, 895 (2014).
DOI
|
4 |
T. V. Hakkarainen, J. Tommila, A. Schramm, A. Tukiainen, R. Ahorinta, M. Dumitrescu, and M Guina, Nanotech. 22, 295604 (2011).
DOI
|
5 |
I. Kamiya, T. Shirasaka, K. Shimomura, and D. M. Tex, J. Cryst. Growth 323, 219 (2011).
DOI
|
6 |
P. D. Siverns, S. Malik, G. McPherson, D. Childs, C. Roberts, R. Murray, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 58, R10127 (1998).
DOI
|
7 |
Q. Gong, P. Offermans, R. Notzel, P. M. Koenraad, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 85, 5697 (2004).
DOI
|
8 |
K. Nishi, T. Kageyama, M. Yamaguchi, Y. Maeda, K. Takemasa, T. Yamamot, M. Sugawara, and Y. Arakawa, J. Cryst. Growth 378, 459 (2013).
DOI
|
9 |
K. Yamaguchi, K. Yujobo, and T. Kaizu, Jpn J. Appl. Phys. 39, 1245 (2000).
DOI
|
10 |
U. W. Pohl, K. Potschke, A. Schliwa, F. Guffarth, D. Bimberg, N. D. Zakharov, P. Werner, M. B. Lifshits, V. A. Shchukin, and D. E. Jesson, Phys. Rev. B 72, 245332 (2005).
DOI
|
11 |
Z. M. Fang, K. Y. Ma, D. H. Jaw, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 67, 7034 (1990).
DOI
|
12 |
R. Heitz, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, A. Hoffmann, and D. Bimberg, J. Electron. Mater. 28, 520 (1999).
DOI
|
13 |
Y. P. Varshni, Physca 34, 149 (1967).
DOI
|
14 |
L. M. Kong, Z. Y. Wu, Z. C. Feng, and I. T. Ferguson, J. Appl. Phys. 101, 126101 (2007).
DOI
|
15 |
S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri, and S. Franchi, Phys. Rev. B 60, 8276 (1999).
DOI
|