1 |
J. Zhong, S. Muthukumar, Y. Chen, Y. Lu, H. M. Ng, W. Jiang, and E. L. Garfunkel, Appl. Phys. Lett., 83, 3401 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1621729]
DOI
|
2 |
K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys., 79, 7983 (1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.362349]
DOI
|
3 |
N. O. Korsunska, L. V. Borkovska, B. M. Bulakh, L. Yu. Khomenkova, V. I. Kushnirenko, I. V. Markevich, and J. Lumin, Journal of Luminescence, 102/103, 733 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0022-2313(02)00634-8]
DOI
|
4 |
K. W. Kim, Y. W. Song, S. P. Chang, I. H. Kim, S. S. Kim, and S. Y. Lee, Thin Solid Films, 518, 1190 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.03.229]
DOI
|
5 |
P. C. Chen, G. Shen, and C. Zhou, IEEE Trans. Nanotech., 7, 668 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2008.2006273]
DOI
|
6 |
E. S. Snow, F. K. Perkins, J. A. Robinson, Chem. Soc. Rev., 35, 790 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1039/b515473c]
DOI
|
7 |
J. G. Lu, P. Chang, Z. Fan, Mater. Sci. Eng. R, 52, 49 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mser.2006.04.002]
DOI
|
8 |
A. Kolmakov, M. Moskovits, Ann. Rev. Mater. Res., 34, 151 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1146/annurev.matsci.34.040203.112141]
DOI
|
9 |
Z. L. Wang, Ann. Rev. Mater. Res., 55, 159 (2004).
|
10 |
H. S. Kang, B. D. Ahn, J. H. Kim, G. H. Kim, S. H. Lim, H. W. Chang, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 88, 202108 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2203952]
DOI
|
11 |
G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. A. Zapien, Y. H. Leung, L. B. Luo, P. F. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Nano Lett., 8, 2591 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/nl073022t]
DOI
|
12 |
B. Xiang, P. Wang, X. Zhang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, C. Spci, D. Yu, and D. Wang, Nano Lett., 7, 323 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/nl062410c]
DOI
|
13 |
M. W. Ahn, K. S. Park, J. H. Heo, J. G. Park, D. W. Kim, K. J. Choi, J. H. Lee, and S. H. Hong, Appl. Phys. Lett., 93, 263103/1 (2008).
|
14 |
W. Zhang, J. Jie, Z. He, S. Tao, X. Fan, Y. Zhou, G. Yuan, L. Luo, W. Zhang, C. Lee, and S. Lee, Appl. Phys. Lett., 92, 153312/1 (2008).
|
15 |
W. F. Zhang, Z. B. He, G. D. Yuan, J. S. Jie, L. B. Luo, X. J. Zhang, Z. H. Chen, C. S. Lee, W. J. Zhang, and S. T. Lee, High performance, Appl. Phys. Lett., 94, 123103/1 (2009).
|
16 |
M. W. Ahn, K. S. Park, J. H. Heo, J. G. Park, D. W. Kim, K. J. Choi, J. H. Lee, and S. H. Hong, Appl. Phys. Lett., 93, 263103/1 (2008).
|
17 |
C. Li, D. H. Zhang, B. Lei, S. Han, X. L. Liu, and C. W. Zhou, J. Phys. Chem. B, 107, 12451 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/jp0361531]
DOI
|
18 |
D. H. Zhang, C. Li, X. L. Liu, S. Han, T. Tang, and C. W. Zhou, Appl. Phys. Lett., 83, 1845 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1604194]
DOI
|
19 |
D. H. Zhang, Z. Q. Liu, C. Li, T. Tang, X. L. Liu, S. Han, B. Lei, and C. W. Zhou, Nano Lett., 4, 1919 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/nl0489283]
DOI
|
20 |
S. Y. Lee, Trans. Electr. Electron. Mater., 16, 78 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/TEEM.2015.16.2.78]
DOI
|
21 |
Z. Yanga, Y. Huang, G. Chen, Z. Guoc, S. Cheng, and S. Huange, Sensors and Actuators B, 140, 549 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2009.04.052]
DOI
|
22 |
T. J. Hsueh, C. L. Hsu, S. J. Chang, and I. C. Chen, Sens. Actuators B: Chem., 126, 473 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2007.03.034]
DOI
|